[发明专利]膜、其制造方法以及使用该膜的半导体元件的制造方法

权利要求书

1.适合作为半导体元件制造用的脱模膜的膜，它是具有基材以及设置在所述基材的一面上的粘接层的膜，其特征在于，

所述基材的180℃时的储能模量为10～100MPa，

所述粘接层是含有具有羟基的丙烯酸类聚合物和多官能异氰酸酯化合物的粘接层用组合物的反应固化物，

所述丙烯酸类聚合物的羟基与羧基的总当量在2000g/摩尔以下，

所述粘接层用组合物中的M_COOH/(M_NCO-M_OH)为0～1.0，

M_NCO/(M_COOH+M_OH)为0.4～3.5，其中，M_OH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羟基的摩尔数M_OH，M_COOH是来源于所述丙烯酸类聚合物的羧基的摩尔数，M_NCO是来源于所述多官能异氰酸酯化合物的异氰酸酯基的摩尔数。

2.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述丙烯酸类聚合物的质均分子量为10万～120万。

3.如权利要求1或2所述的膜，其特征在于，所述多官能异氰酸酯化合物具有异氰脲酸酯环。

4.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述粘接层的180℃时的储能模量为2～20MPa。

5.如权利要求1所述的膜，其特征在于，由所述粘接层的基重W1(g/m²)和该膜经过以下溶解试验后残存的粘接层的基重W2(g/m²)通过下式求出的所述粘接层的不溶度为40～90％，

不溶度(％)＝(W2/W1)×100

溶解试验

将膜浸渍于20～25℃的二氯甲烷中，搅拌1天；将1天的搅拌结束后的膜在另外的20～25℃的二氯甲烷中浸渍10分钟以洗净；对洗净后的膜以100℃真空干燥2小时。

6.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述基材含有乙烯-四氟乙烯共聚物。

7.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述基材的厚度为50～100μm，所述粘接层的厚度为0.5～15μm。

8.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述粘接层用组合物还含有防静电剂。

9.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述基材与所述粘接层之间具有防静电层。

10.如权利要求1所述的膜，其特征在于，所述膜是在制造被密封树脂密封的半导体元件的密封工序中使用的脱模膜。

11.如权利要求10所述的膜，其特征在于，由所述密封树脂密封的半导体元件是半导体芯片、源电极或密封玻璃的表面的一部分从密封树脂露出的半导体元件。

12.如权利要求10或11所述的膜，其特征在于，所述膜是在所述密封工序中使固化性树脂在模具内固化而形成密封树脂时以脱模膜的基材侧的面与模具内面接触、半导体芯片的该表面的一部分与脱模膜的粘接层的面接触的方式进行使用的脱模膜。