[发明专利]有机发光显示装置在审
申请号: | 201680009066.4 | 申请日: | 2016-05-09 |
公开(公告)号: | CN107251229A | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
发明(设计)人: | 李一翻;黄智泳;李承宪;吴东炫;金起焕;徐汉珉;朴赞亨 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司11327 | 代理人: | 王楠楠,张云志 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.一种有机发光显示装置,包括:
基板;
设置在所述基板上并且互相交叉的多个栅极线和多个数据线;
被所述栅极线和所述数据线分开的多个像素区域;
设置在各个像素区域的一侧的薄膜晶体管,该薄膜晶体管包括与所述栅极线连接的栅电极、设置在所述栅电极上并且与该栅电极绝缘的半导体层、与所述数据线电连接的源电极,以及与像素电极或公用电极电连接的漏电极;
设置在各个像素区域上并且发射红光、绿光、蓝光或白光的有机发光器件;以及
设置在所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述栅极线和所述数据线中的至少一个的一个表面上的减光反射层,
其中,所述减光反射层满足下面的等式1的值为0.004以上且为0.22以下,
[等式1]
在等式1中,k表示所述减光反射层的消光系数,t表示所述减光反射层的厚度,λ表示光的波长。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述减光反射层的厚度为10nm以上且为100nm以下。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述减光反射层对波长为550nm的光的消光系数k为0.1以上且为2以下。
4.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述减光反射层对波长为550nm的光的折射率n为2以上且为3以下。
5.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,设置有所述减光反射层的电极的光反射率为50%以下。
6.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述减光反射层包括选自金属氧化物、金属氮化物和金属氮氧化物中的一种或多种。
7.根据权利要求6所述的有机发光显示装置,其中,所述金属氧化物、所述金属氮化物和所述金属氮氧化物衍生自选自Cu、Al、Mo、Ti、Ag、Ni、Mn、Au、Cr和Co中的一种或两种以上金属。
8.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述减光反射层设置在所述栅电极、所述源电极、所述漏电极、所述栅极线和所述数据线的面向基板的表面上。
9.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述有机发光显示装置具有底部发光结构。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置,其中,所述有机发光显示装置分别包括:与所述漏电极电连接的第一电极;面对所述第一电极设置的第二电极;以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间并且包括一个或多个有机发光层的有机材料层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的