[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，

上述半导体装置具备：

第1基板(10)，具有一面(10a)；

第2基板(20)，具有一面(20a)，以该一面与上述第1基板的一面对置的状态而与上述第1基板接合；

传感部(15)，配置在上述第1基板与上述第2基板之间；

第1焊盘部(17)，形成在上述第1基板的一面，与上述传感部电连接；以及

第2焊盘部(24)，形成在上述第2基板的一面，与上述第1焊盘部电连接；

上述半导体装置的制造方法的特征在于，具备以下工序：

准备上述第1基板；

在上述第1基板的一面形成最表面为Ti层(40b)的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第1焊盘部；

准备上述第2基板；

在上述第2基板的一面形成最表面为Ti层(41b)的金属膜，通过将该金属膜布图而形成上述第2焊盘部；

通过将上述第1基板及上述第2基板进行真空退火，除去在上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的上述Ti层上形成的氧化膜；以及

将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备以下工序：

在上述第1焊盘部的形成中，通过将在上述第1基板的一面形成的金属膜布图，与上述第1焊盘部一起，形成包围上述第1焊盘部的框状的第1封固部(18)；

在上述第2焊盘部的形成中，通过将在上述第2基板的一面形成的金属膜布图，与上述第2焊盘部一起，形成包围上述第2焊盘部且形状与上述第1封固部对应的第2封固部(25)；

在上述氧化膜的除去中，将在上述第1、第2封固部的上述Ti层上形成的氧化膜，与在上述第1、第2焊盘部的上述Ti层上形成的氧化膜一起除去；

在上述接合中，通过将上述第1焊盘部与上述第2焊盘部接合并将上述第1封固部与上述第2封固部接合，在上述第1基板与上述第2基板之间构成气密室(50)，将上述传感部封固到上述气密室内。

3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备以下工序，即：在将上述氧化膜除去之前，在上述第1基板及上述第2基板的配置在上述气密室内的部分的至少一方，形成吸附活性气体的捕获层(31)。

4.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述捕获层的形成中，具备形成基底层(42a)的工序、将该基底层粗糙化处理的工序、和在粗糙化处理后的上述基底层上形成Ti层(42b)的工序。

5.如权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备在形成上述捕获层之前、在形成上述捕获层的部分形成沟槽(43)的工序；

在上述捕获层的形成中，还具备以保留上述沟槽内的空间(43a)的方式沿着上述沟槽的壁面形成上述捕获层的工序。

6.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在上述第1焊盘部的形成、上述第2焊盘部的形成、上述第1封固部的形成、上述第2封固部的形成的各自中，还具备仅形成上述Ti层作为上述金属膜的工序。

7.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

具备以下工序：

在上述第1焊盘部的形成及上述第2焊盘部的形成中，将上述第1焊盘部及上述第2焊盘部的平面形状设定为不同的大小；

在上述第1封固部的形成及上述第2封固部的形成中，将上述第1封固部及上述第2封固部的平面形状设定为不同的大小。

8.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备在将上述氧化膜除去后将上述第1基板及上述第2基板配置在氮气氛下从而在上述第1焊盘部与上述第2焊盘部的接合面以及上述第1封固部与上述第2封固部的接合面形成TiN层(40c、41c)的工序；

在上述接合中，还具备通过在上述氮气氛下直接将上述TiN层彼此接合从而使上述气密室成为氮气氛的工序。