[发明专利]驻极体元件、机电转换器以及驻极体元件的制造方法

权利要求书

1.一种驻极体元件，其特征在于，具备：

Si层；

在所述Si层的表面形成的SiO₂层；以及

在所述SiO₂层的与所述Si层的界面的近旁形成的驻极体；

其中，构成所述驻极体的表面电荷被固定在所述界面附近，并且所述SiO₂层作为所述驻极体的保护膜。

2.一种机电转换器，其特征在于，

具备相互相对配置且至少一方能够移动的第1电极以及第2电极，

所述第1电极由权利要求1所述的驻极体元件构成，

通过所述第1电极以及第2电极中的至少一方进行移动，来进行电能与机械能之间的转换。

3.根据权利要求2所述的机电转换器，其特征在于，

所述Si层由Si基板构成，

在所述Si基板形成有用于驱动所述机电转换器的电路元件的至少一部分。

4.根据权利要求2或3所述的机电转换器，其特征在于，

通过外力的作用，所述第1电极以及第2电极中的至少一方的电极进行移动来进行发电。

5.根据权利要求2或3所述的机电转换器，其特征在于，具备：

设置有所述第1电极的静止部；

设置有所述第2电极的可动部；

在所述第1电极与所述第2电极之间施加电压的电压源；以及

控制所述电压源的施加电压来驱动所述可动部的控制部。

6.一种驻极体元件的制造方法，其用于制造驻极体元件，其特征在于，

一边将形成了SiO₂层的Si层维持在所述SiO₂层成为半导体状态的第1温度，一边在所述Si层与所述SiO₂层之间施加电压，

在施加了所述电压的状态下，使形成了所述SiO₂层的所述Si层从所述第1温度变化到所述SiO₂层恢复绝缘性的第2温度；

其中，在所述SiO₂层的与所述Si层的界面的近旁形成所述驻极体元件的驻极体；

构成所述驻极体的表面电荷被固定在所述界面附近，并且所述SiO₂层作为所述驻极体的保护膜。