[发明专利]带有改进的键合连接结构的功率半导体模块有效

专利信息
申请号: 201680009758.9 申请日: 2016-03-08
公开(公告)号: CN107210281B 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: R·皮尔默 申请(专利权)人: 英飞凌科技有限两合公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L23/49;H01L25/07
代理公司: 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人: 郑勇
地址: 德国*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 带有 改进 连接 结构 功率 半导体 模块
【权利要求书】:

1.一种功率半导体模块(10),其具有:

至少一个衬底(4);

至少一个功率半导体(2),其布置在所述衬底(4)上并且在其背对所述衬底的侧面上具有联接面(21);

布置在所述衬底(4)上在所述功率半导体(2)旁的负载电位面(23);

多个键合连接件(25、26),用于将所述联接面(21)与所述负载电位面(23)并联导电连接,其中,每个键合连接件(25、26)具有在所述负载电位面(23)上的至少一个第一键合脚(31)和在所述联接面(21)上的多个第二键合脚(32),并且其中,每个键合连接件(25、26)在所述联接面(21)上具有至少一个端部,

其中,所述多个键合连接件(25、26)布置在至少两个群组(25或26)中,所述群组由键合脚相同数量的多个键合连接件组成,并且一个群组中的每个键合连接件的第二键合脚(32)仅布置在所述联接面(21)的由所述联接面部分表面限定的区段或区域(22a或22b)中,并且所述群组之间的差别在于,其第一键合脚(31)布置成在所述负载电位面(23)上,并且朝所述功率半导体(2)具有不同的、但在每个群组内一致的间距(a1或a2),

其中,至少一个群组的键合连接件(26)具有第三键合脚(33),第三键合脚布置在所述第一键合脚(31)与所述第二键合脚(32)之间的所述键合连接件(26)的走线中并且布置金属镀层(30)上,金属镀层(30)以与所述负载电位面(23)电绝缘的方式布置在所述衬底(4)上,

其中所述群组(25或26)的键合连接件在长度上没有不同。

2.根据前一权利要求所述的功率半导体模块(10),其中,每个群组(25或26)的每个键合连接件的第二键合脚(32)仅布置在所述联接面(21)的正好一个共同的部分表面中。

3.根据权利要求2所述的功率半导体模块(10),其中,所述共同的部分表面是封闭的。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中所述金属镀层(30)是平行布置的,并且在所述负载电位面(23)和所述功率半导体的边缘之间延伸。

5.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中所述负载电位面(23)被分割。

6.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,所述群组(26)的第三键合脚(33)布置在共同的金属镀层(30)上。

7.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,所述键合连接件(25、26)是键合线。

8.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,所述群组(25或26)的第二键合脚(32)以规则图案的方式布置。

9.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,至少两个所述群组(25或26)的区别在于每个键合连接件的第二键合脚(32)的数量。

10.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,所述功率半导体具有在8.0mm至50.0mm的范围内的棱边长度。

11.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,每个群组设有15至50个键合连接件(25、26)。

12.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,所述功率半导体(2)和所属的所述负载电位面(23)布置在陶瓷衬底(4)上。

13.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其中,所述功率半导体(2)是二极管、晶体管或晶闸管。

14.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10),其具有正好两个功率半导体(1、2)或者一定数量的功率半导体,该数量对应于2的倍数,其中,第一功率半导体(1)的键合连接件(15、16)布置成两个群组(15或16),该群组由多个键合脚数量相同的键合连接件组成,并且一个群组的每个键合连接件的第二键合脚(32)仅布置在所述联接面(11)的由所述联接面(11)部分表面限定的区段或区域(22a或22b)中,并且所述第一功率半导体(1)的群组(15或16)的不同之处在于,所述第一键合脚(31)布置在与所述第一功率半导体(1)的负载电位面的两个区段(13a、13b)不同的区段上,两个区段分别布置成邻近所述第一功率半导体(1)的两个相对的棱边,并且与第二功率半导体(2)的键合连接件(25、26)相连接的、正好一个的负载电位面(23)布置在第一功率半导体(1)与第二功率半导体(2)之间,并且邻近所述第二功率半导体(2)的棱边和所述第一功率半导体(1)的其中一条剩余棱边。

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