[发明专利]共振的装置、含装置的组及操作方法和等离子体产生设备

权利要求书

1.一种被固有地设计为共振的装置(2)，所述装置适于射频功率传送，能够用于产生等离子体，并且能够电连接在具有固定频率或可变频率的射频电源(3)的下游，所述装置(2)包括：

至少一个电感元件Lp，所述至少一个电感元件Lp在使用时能够由至少一个射频电源(3)供电；

至少一个电容元件Cp，所述至少一个电容元件Cp电连接在所述至少一个电感元件Lp的端子处；

被固有地设计为共振的所述装置(2)具有等于的共振角频率，

其特征在于，

所述电容元件Cp和所述电感元件Lp各具有使得在共振状态下，电容元件和电感元件提供在所述装置(2)的端子处测量的等效阻抗的值，所述等效阻抗为电阻式，并且远高于在所述装置(2)的端子上游的寄生阻抗，使得所述寄生阻抗的效应在使用中能够忽略。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述至少一个电感元件Lp能够由所述射频电源(3)直接供电，即在没有另外电气部件的插入的情况下供电。

3.根据权利要求1所述的装置，所述装置包括至少一个变压器或自耦变压器(4)，该变压器或自耦变压器依次包括：所述一个变压器或自耦变压器(4)的一个初级电路，所述初级电路设置有具有n1匝的至少一个线圈(L1)；以及一个次级电路，所述次级电路设置有具有n2匝的至少一个电感元件Lp，所述初级电路的线圈(L1)能够由所述射频电源(3)直接供电。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，所述装置包括至少一个支撑结构(5)，所述至少一个支撑结构(5)由电绝缘材料制成，具有一个内表面(5a)、一个外表面(5b)，所述支撑结构(5)在内部定界用于所述装置的工作区域(5c)。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的装置，其中，所述至少一个电感元件Lp由支撑结构来支撑，所述支撑结构纵向围绕所述至少一个电感元件且与所述至少一个电感元件接触。

6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述至少一个电容元件Cp包括外部电容器(9)，所述外部电容器(9)电连接到所述至少一个电感元件Lp，并且在外部且距所述支撑结构(5)一距离地被支撑。

7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述外部电容器(9)的电极直接连接在所述电感元件(8)的端子处，即在没有另外电气部件的插入的情况下连接在所述电感元件(8)的端子处。

8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述电极具有10mm²-20mm²的截面，具有小于或等于10cm-15cm的长度。

9.根据权利要求4所述的装置，其中，所述至少一个电容元件Cp被集成在所述支撑结构(5)内。

10.根据权利要求9所述的装置，其中，所述电容元件Cp包括由导电材料制成的至少一对板状元件(10、11)，所述一对板状元件在其一端及相反侧处应用于所述支撑结构(5)，所述板状元件(10、11)从而形成其间具有电介质材料的电容器(C’x)的两个板。

11.根据权利要求4所述的装置，其中，所述至少一个电容元件Cp包括由导电材料制成的两对板状元件(10、11)，所述两对板状元件中一对相对于所述支撑结构(5)内部应用，并且一对相对于所述支撑结构(5)外部应用，各对板状元件(10、11)应用于所述支撑结构(5)的一端处，并且借助于由导电材料制成的至少一个连接元件(12)串联电连接到另一对，各对从而形成其间具有电介质材料的两个电容器(C’x)，并且串联电连接在所述至少一个电容元件Lp的端子处。

12.根据权利要求4所述的装置，其中，所述至少一个电容元件Cp由所述至少一个电感元件Lp的寄生电容(Cx)给出。