[发明专利]陶瓷多层器件和用于制造陶瓷多层器件的方法有效
申请号: | 201680010158.4 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN107210102B | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | U.沃兹尼亚克;T.法伊希廷格 | 申请(专利权)人: | 埃普科斯股份有限公司 |
主分类号: | H01C1/148 | 分类号: | H01C1/148;H01C7/102;H01C7/108;H01C7/18;H01C7/10;H01C17/065;H01C17/28 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 卢江;杜荔南 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 陶瓷 多层 器件 用于 制造 方法 | ||
1.具有陶瓷基体(2)和金属结构(3、5、6)的载体器件(1),所述金属结构被布置在所述陶瓷基体中,具有至少一个内电极(3)和至少一个通孔(6),其中
- 所述金属结构(3、5、6)被共同烧结,
- 所述金属结构(3、5、6)具有≥99%的银,
- 所述基体(2)具有0.1至1摩尔百分比的由金属结构(3、5、6)的金属的化学化合物构成的掺杂物,使得减小在烧结过程期间材料从金属结构(3、5、6)到基体(2)中的扩散,并且
- 所述基体(2)是以液相烧结的压敏电阻陶瓷,以及
- 所述基体(2)具有以下组成:
-- ≥90%摩尔的ZnO,
-- 0.5%至5%摩尔的Sb2O3或Bi2O3,
-- 0.05%至2%摩尔的Co3O4、Mn2O3、SiO2和/或Cr2O3,
-- <0.1%摩尔的B2O3、Al2O3和/或NiO。
2.根据权利要求1所述的载体器件(1),其中所述金属结构(3、5、6)具有拥有陶瓷基体(2)的材料的掺杂物。
3.根据权利要求1或2所述的载体器件(1),其中金属结构(3、5、6)的厚度或横向伸展小于或等于1.5μm。
4.根据权利要求1或2所述的载体器件(1),其中所述掺杂物具有氧化银或碳酸银。
5.根据权利要求1或2所述的载体器件(1),具有至少一个钝化层(4),其中所述钝化层(4)被共同烧结,其中钝化层(4)的材料具有拥有填充材料的玻璃或陶瓷,并且其中所述材料在烧结之前被施加到所述基体(2)上。
6.根据权利要求5所述的载体器件(1),其中所述钝化层(4)利用金属结构(3、5、6)的材料来掺杂,并且其中所述掺杂高于或等于所述材料在钝化层(4)中的饱和浓度。
7.用于制造根据权利要求1或2所述的载体器件(1)的方法,具有以下步骤:
- 将具有陶瓷胚料的层和具有电极膏的层交替相叠地布置成层堆,其中所述陶瓷胚料利用电极膏的材料来掺杂以制造基体;
- 将至少一个通孔(6)引入到基体中;
- 将基体烧结。
8.根据权利要求7所述的方法,具有附加的步骤:
- 将绝缘层施加在陶瓷胚料的至少一个上侧上,其中所述绝缘层利用电极膏的材料和陶瓷胚料的材料来掺杂,并且其中所述绝缘层在烧结之前施加。
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