[发明专利]扫描探针显微镜以及用于测量局部电势场的方法

权利要求书

1.具有尖端的扫描探针显微镜，其特征在于，

量子点（2）被安置在所述尖端（1）处，

所述量子点（2）借助其被安置于的尖端（1）能被引导到以下地点，在所述地点处测量局部电势场，以及

所述扫描探针显微镜被构造使得：

-测量所述量子点（2）发生电荷变化时的临界电压，

-将所施加的电压设定为所述临界电压附近的固定值，在所述临界电压的情况下发生所述量子点（2）的所述电荷变化，并且在试样上方的半空间的要研究的区域被扫描期间，使用扫描力显微镜的标准运行模式用于成像，以及

-所设定的电压根据所述临界电压随着在尖端（1）和试样表面（3）之间的间隔而发生的改变被适配，并且在三维成像中的面被理解为恒定电势的面、也即所述局部电势场的等势面，所述扫描力显微镜的信号的变化沿着所述三维成像中的面是最大的。

2.按照权利要求1所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述量子点（2）是物质。

3.按照权利要求2所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述物质是有机物质或无机物质。

4.按照权利要求2所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述物质是金属有机物质。

5.按照权利要求2，3或4所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述物质是分子或材料的空间受限制的布置。

6.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

材料的所述空间受限制的布置是在原子方面或分子方面有序的或无序的。

7.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

材料的所述空间受限制的布置是有序的或无序的团簇或光刻结构。

8.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

材料的所述空间受限制的布置是纳米晶体。

9.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

材料的所述空间受限制的布置是纳米管。

10.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

材料的所述空间受限制的布置是碳纳米管。

11.按照权利要求8所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述纳米晶体是金属团簇、或者具有或不具有掺杂的半导体纳米结构。

12.按照权利要求8所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述纳米晶体是具有由有机配体组成的壳层的金属团簇。

13.按照权利要求8所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述纳米晶体是纳米线。

14.按照权利要求8所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述纳米晶体是由分子组成的纳米晶体或团簇。

15.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述分子是有机的分子或无机的分子。

16.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述分子是生物有机的分子。

17.按照权利要求5所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述分子是金属有机的分子。

18.按照权利要求17所述的扫描探针显微镜，其特征在于，

所述金属有机的分子包括金属络合物、芳香族分子、或脂肪族分子和其衍生物，具有或不具有杂原子。