[发明专利]光提取效率得到提高的发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，其特征在于，包括：

发光结构体，包括第一导电型半导体层、第二导电型半导体层以及位于所述第一导电型半导体层与第二导电型半导体层之间的有源层；

第一接触电极，与所述第一导电型半导体层欧姆接触；

第二接触电极，位于所述第二导电型半导体层上；以及

绝缘层，位于所述发光结构体上，使所述第一接触电极以及第二接触电极绝缘，

所述发光结构体具有非极性或半极性的生长面，所述第二导电型半导体层的上表面包括非极性或半极性面，

所述第二接触电极包括：导电性氧化物层，与所述第二导电型半导体层欧姆接触；以及反射电极层，位于所述导电性氧化物层上，

所述发光结构体包括与所述第一导电型半导体层的一面对应的第一面以及与所述第二导电型半导体层的一面对应的第二面，

所述发光结构体的第一面包括具有多个突出部的变粗糙的表面，

所述突出部包括与所述第一面形成的角度彼此不同的至少三个侧面。

2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述发光结构体包括氮化物半导体，所述非极性或者半极性生长面包括m面。

3.根据权利要求2所述的发光元件，其特征在于，

所述导电性氧化物层包括ITO，所述反射电极层包括Ag。

4.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述导电性氧化物层的面积大于所述反射电极层的面积，

所述反射电极层位于所述导电性氧化物层的边缘区域内。

5.根据权利要求4所述的发光元件，其特征在于，

所述导电性氧化物层覆盖所述第二导电型半导体层的上表面的90％以上。

6.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述导电性氧化物层被所述反射电极层覆盖。

7.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述第一导电型半导体层包括具有非极性或者半极性的生长面的氮化物系基板。

8.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，

所述氮化物系基板被去掺杂或掺杂而具有与所述第一导电型半导体层相同的导电型。

9.根据权利要求7所述的发光元件，其特征在于，

所述氮化物系基板具有270至330μm的厚度。

10.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述第二导电型半导体层与所述导电性氧化物之间的接触电阻比所述第二导电型半导体层与所述反射电极层之间的接触电阻小。

11.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，

所述发光结构体包括多个台面，所述台面包括所述第二导电型半导体层以及所述有源层，

所述第二接触电极位于所述多个台面上，所述第一导电型半导体层在所述多个台面周围的至少一部分区域裸露。

12.根据权利要求11所述的发光元件，其特征在于，

所述绝缘层包括第一绝缘层以及第二绝缘层，

所述第一绝缘层覆盖所述多个台面以及第一导电型半导体层，且包括分别使第一导电型半导体层的一部分以及所述第二接触电极的一部分裸露的第一开口部以及第二开口部。

13.根据权利要求12所述的发光元件，其特征在于，

所述第一接触电极通过所述第一开口部与所述第一导电型半导体层欧姆接触，

所述第一接触电极位于所述多个台面的部分上表面以及多个台面的侧面上，且从所述多个台面绝缘。