[发明专利]p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法有效
申请号: | 201680010408.4 | 申请日: | 2016-02-10 |
公开(公告)号: | CN107210201B | 公开(公告)日: | 2020-07-21 |
发明(设计)人: | 池上由洋;村濑清一郎;稻叶智雄 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01L21/225 | 分类号: | H01L21/225;H01L31/18 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军;李国卿 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 杂质 扩散 组合 使用 半导体 元件 制造 方法 以及 太阳能电池 及其 | ||
本发明的目的在于提供可提高涂布液的保存稳定性、且可向半导体衬底均匀扩散的p型杂质扩散组合物。为实现上述目的,本发明具有以下构成。即,p型杂质扩散组合物,其特征在于,包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂,作为所述(C)有机溶剂,含有(C1)环状酯系溶剂。
技术领域
本发明涉及用于使p型杂质在半导体衬底中扩散的p型杂质扩散组合物、使用其的半导体元件的制造方法以及太阳能电池及其制造方法。
背景技术
目前,在太阳能电池的制造中,在半导体衬底中形成p型或n型的杂质扩散层时,一直采用在衬底上形成扩散源后通过热扩散使杂质扩散至半导体衬底中的方法。在扩散源的形成中,正在研究CVD法、液态的杂质扩散组合物的溶液涂布法。其中,溶液涂布法由于不需要昂贵的设备、批量生产率也优异,故可合适地使用。在溶液涂布法中要形成p型杂质扩散层时,通常使用旋涂机、丝网印刷等将含有硼的涂布液涂布于半导体衬底表面上,并使其进行热扩散。
现有的涂布液一直使用硼的溶解性优异的乙二醇系溶剂(例如乙二醇单甲醚)作为溶剂。但是,乙二醇系溶剂由于毒性高而成为环保管制的对象,故而难以再进行使用。因此,提出了使用丙二醇系溶剂作为乙二醇的替代溶剂并进一步添加非离子性表面活性剂而得到的涂布液(例如,参见专利文献1)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-181010号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,使用丙二醇系溶剂作为主成分的涂布液由于保存稳定性差、会缓缓地变得粘稠,因而难以控制涂布膜厚及扩散浓度。
本发明是基于上述这样的情况而完成的,目的在于提供可提高涂布液的保存稳定性、且可向半导体衬底均匀扩散的p型杂质扩散组合物。
用于解决课题的手段
为解决上述课题,本发明的p型杂质扩散组合物具有以下构成。即,p型杂质扩散组合物,其特征在于,包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂,所述(C)有机溶剂含有(C1)环状酯系溶剂。
发明的效果
根据本发明,可提供保存稳定性优异、且杂质向衬底扩散的均匀性也优异的p型杂质扩散组合物。
附图说明
[图1]为表示使用了本发明的p型杂质扩散组合物的杂质扩散层的形成方法的第一例的工序剖面图。
[图2]为表示使用了本发明的p型杂质扩散组合物的杂质扩散层的形成方法的第二例的工序剖面图。
[图3]为表示使用了本发明的p型杂质扩散组合物的杂质扩散层的形成方法的第三例的工序剖面图。
[图4]为表示使用了本发明的p型杂质扩散组合物的杂质扩散层的形成方法的第四例的工序剖面图。
[图5]为表示使用了本发明的p型杂质扩散组合物的双面发电型太阳能电池的制作方法的一例的工序剖面图。
具体实施方式
以下,对本发明的实施方式进行说明。需要说明的是,以下的实施方式为示例,本发明并不限于这些方式。
本发明的p型杂质扩散组合物包含(A)第13族元素化合物、(B)含羟基的高分子及(C)有机溶剂,所述(C)有机溶剂含有(C1)环状酯系溶剂。
(A)第13族元素化合物
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造