[发明专利]存储器单元

权利要求书

1.一种存储器单元，其包括：

选择装置；

电容器，其与所述选择装置串联电耦合，所述电容器包括两个导电电容器电极，所述两个导电电容器电极具有介于其之间的铁电材料，所述电容器包括从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径；及

平行电流泄漏路径，其从所述电容器电极中的所述一者到所述另一电容器电极，所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征电流泄漏路径且具有比所述本征电流泄漏路径低的总电阻，所述平行电流泄漏路径不直接抵靠所述铁电材料，其中所述平行电流泄漏路径具有在所述两个导电电容器电极之间的所述铁电材料的最小厚度的5％内的最小长度。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中在操作中，当所述存储器单元闲置时，所述选择装置展现电流泄漏，所述平行电流泄漏路径经配置使得所述存储器单元闲置时通过所述平行电流泄漏路径的电流大于或等于所述存储器单元闲置时的所述选择装置的所述电流泄漏。

3.根据权利要求2所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径经配置使得所述存储器单元闲置时通过所述平行电流泄漏路径的电流不多于1毫微安。

4.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径具有0.4eV到5.0eV的主导带隙，且所述主导带隙小于所述铁电材料的主导带隙。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中在操作中，闲置时横跨所述电容器的任何电压差使得所述铁电材料中的任何电场比所述铁电材料的本征矫顽场低至少20倍。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径包括介于所述两个导电电容器电极之间的非线性电阻器，所述非线性电阻器在较高电压处展现比较低电压处的电阻高的电阻。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径具有大于所述两个导电电容器电极之间的所述铁电材料的最小厚度的最小长度。

8.根据权利要求7所述的存储器单元，其中所述铁电材料的主导带隙等于或小于所述平行电流泄漏路径的主导带隙。

9.一种存储器单元，其包括：

选择装置；

电容器，其与所述选择装置串联电耦合，所述电容器包括两个导电电容器电极，所述两个导电电容器电极具有介于其之间的铁电材料，所述电容器包括从所述电容器电极中的一者穿过所述铁电材料而到另一电容器电极的本征电流泄漏路径；及

平行电流泄漏路径，其从所述电容器电极中的所述一者到所述另一电容器电极，所述平行电流泄漏路径电路平行于所述本征电流泄漏路径，所述平行电流泄漏路径具有0.4eV到5.0eV的主导带隙，所述平行电流泄漏路径直接抵靠所述铁电材料，其中所述平行电流泄漏路径具有两个横向侧，且所述两个横向侧中的每一者直接抵靠所述铁电材料。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径的所述主导带隙小于所述铁电材料的主导带隙。

11.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径主要包括非晶硅、多晶硅及锗中的一或多者。

12.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径主要包括一或多种硫属化物。

13.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述平行电流泄漏路径主要包括富硅氮化硅、富硅氧化硅，及掺杂有导电性增强掺杂物的本征电介质材料中的一或多者。

14.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述两个导电电容器电极之间的所述平行电流泄漏路径是均质的。