[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法有效

申请号：	201680010761.2	申请日：	2016-02-16
公开（公告）号：	CN107251176B	公开（公告）日：	2019-06-28
发明（设计）人：	西内武司;重本恭孝;野泽宣介	申请（专利权）人：	日立金属株式会社
主分类号：	H01F41/02	分类号：	H01F41/02;C22C28/00;C22C33/02;C22C38/00;H01F1/057;H01F1/08
代理公司：	北京尚诚知识产权代理有限公司 11322	代理人：	龙淳;池兵
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
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摘要：
搜索关键词：	烧结磁体制造方法
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【权利要求书】：

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其中，R为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd，T为过渡金属元素中的至少一种且必须包含Fe，B的一部分能够用C置换，所述制造方法的特征在于，包括：

准备R1－T1－A－X系合金烧结体的工序，其中，R1为稀土元素中的至少一种且必须包含Nd、并且R1为27mass％以上35mass％以下，T1为Fe或Fe和M，M为选自Ga、Al、Si、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge和Ag中的一种以上，A为Ti、Zr、Hf、V、Nb和Mo中的至少一种，[T1]/([X]－2[A])的mol比为13.0以上，X为B且B的一部分能够用C置换；

准备R2－Ga－Cu系合金的工序，其中，R2为稀土元素中的至少一种且必须包含Pr和/或Nd、并且R2为65mol％以上95mol％以下，[Cu]/([Ga]+[Cu])以mol比计为0.1以上0.9以下；和

使所述R2－Ga－Cu系合金的至少一部分与所述R1－T1－A－X系合金烧结体表面的至少一部分接触，在真空或不活泼气体气氛中在450℃以上600℃以下的温度进行热处理的工序。

2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R1－T1－A－X的T1为Fe和M，M为选自Al、Si、Cr、Mn、Co、Ni、Cu、Zn、Ge和Ag中的一种以上。

3.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R1－T1－A－X系合金烧结体中的[T1]/([X]－2[A])的mol比为14.0以上。

4.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R1－T1－A－X系合金烧结体中的[T1]/[X]的mol比小于14。

5.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R1－T1－A－X系合金烧结体中的重稀土元素为1mass％以下。

6.如权利要求1或2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

通过将原料合金粉碎至1μm以上10μm以下之后，在磁场中进行成型、烧结，来准备R1－T1－A－X系合金烧结体。