[发明专利]半导体材料和用于所述半导体材料的萘并呋喃基质化合物有效

专利信息
申请号: 201680010833.3 申请日: 2016-02-18
公开(公告)号: CN107251260B 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 安妮特·斯托伊德尔;朱莉恩·弗雷 申请(专利权)人: 诺瓦尔德股份有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;C07D405/14
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王潜;郭国清
地址: 德国德*** 国省代码: 德国;DE
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摘要:
搜索关键词: 半导体材料 用于 呋喃 基质 化合物
【说明书】:

发明涉及一种包含电子传输基质化合物的半导体材料,所述电子传输基质化合物包含至少一个电子传输结构部分和至少一个极性结构部分;基质化合物;和利用所述半导体材料的电子器件。

本发明涉及具有改善的电性质的有机半导体材料、适用于这种有机半导体材料的基质化合物和利用本发明半导体材料的改善电性质的电子器件。

I.背景技术

在包含至少一个基于有机化学所提供材料的部件的电子器件中,有机发光二极管(OLED)具有显著地位。自从Tang等人在1987年展示了有效的LED(C.W.Tang等人,Appl.Phys.Lett.(应用物理快报)51(12),913(1987))以来,OLED从有前景的候选者发展成为高端的商业显示器。OLED包含一系列基本上用有机材料制成的薄层。所述层的厚度通常在1nm至5μm范围内。通常借助于真空沉积或从溶液例如借助于旋涂或喷印来形成所述层。

OLED在向有机层中注入来自阴极的电子形式的电荷载流子和来自阳极的空穴形式的电荷载流子后发光,其中所述有机层布置阴极与阳极中间。基于施加的外电压、在发光区中激子的随后形成和这些激子的辐射复合来实现电荷载流子注入。至少一个电极是透明或半透明的,在大多数情况下,为透明氧化物(如氧化铟锡(ITO))或薄金属层的形式。

本发明的一个目的为克服现有技术的缺点并且提供备选化合物,所述化合物可以成功地用作半导体材料,并且尤其在用于电子器件、特别是OLED的电学掺杂的半导体材料中用作电荷传输基质化合物。

II.发明内容

通过如下半导体材料实现所述目的,其包含

电子传输基质化合物,所述电子传输基质化合物包含至少一个电子传输结构部分和至少一个极性结构部分,所述至少一个极性结构部分选自

a)由通过共价键连接在一起的周期表第15族的一个原子和周期表第16族的一个原子组成的结构部分,或

b)选自以下基团的杂芳基:吡啶-2-基、吡啶-4-基、喹啉-4-基和1,3,5-三嗪-2-基,或

c)具有式(Ia)或(Ib)的苯并咪唑基部分

其中虚线表示连接式(Ia)或(Ib)的苯并咪唑基部分与分子的其它结构部分的键,R1和R2选自

(i)C1-C24烷基,

(ii)C3-C24环烷基,

(iii)C6-C24芳基,

(iv)C7-C24芳基烷基,

(v)各自包含至少一个杂原子的C3-C24杂烷基或C4-C24杂环烷基或C8-C24芳基-杂烷基,所述杂原子选自Si和Ge,

(vi)各自包含至少一个杂原子的C2-C24杂烷基或C3-C24杂环烷基或C7-C24芳基-杂烷基,所述杂原子选自B和P,以及

(vii)C2-C24杂芳基,所述C2-C24杂芳基包含至多4个独立地选自N、O和S的杂原子;其中

所述至少一个电子传输结构部分包含苯并-萘并呋喃(benzo-naphtofurane)结构部分,其条件为排除如下的情况:

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