[发明专利]通过靶使用期控制一或多个膜性质的自动电容调节器电流补偿

权利要求书

1.一种将含金属层沉积于设置在物理气相沉积(PVD)腔室中的基板上的方法，包括以下步骤：

提供等离子体形成气体至所述PVD腔室的处理区域；

提供第一量的RF功率至与所述基板相对设置的靶组件以在所述PVD腔室的所述处理区域内形成等离子体，所述靶组件具有靶寿命；

溅射来自所述靶组件的源材料以将含金属层沉积于所述基板上，其中所述源材料是在第一侵蚀状态；以及

当所述源材料从所述第一侵蚀状态侵蚀至第二侵蚀状态，溅射源材料以将所述基板的表面处的离子能维持在预定范围内的同时，调节与基板支撑件耦接的自动电容调节器，其中调节所述自动电容调节器的步骤包括将所述自动电容调节器的位置与所述自动电容调节器的预定设定点位置比较，其中通过确定基于预限定靶寿命补偿系数来计算预定设定点值，并且其中基于所述靶寿命来确定基于所述预限定靶寿命补偿系数，以当靶从所述第一侵蚀状态侵蚀至所述第二侵蚀状态的同时，将所述基板的表面处的所述离子能维持在所述预定范围内。

2.如权利要求1所述的方法，其中由所述自动电容调节器控制的所述基板处的离子能的量小于所述预定设定点值，及其中调节所述自动电容调节器的步骤进一步包括减小所述自动电容调节器的所述位置直到在所述自动电容调节器处测量的电流的量等于所述预定设定点值。

3.如权利要求2所述的方法，其中由所述自动电容调节器控制的所述基板处的离子能的量大于所述预定设定点值，及其中调节所述自动电容调节器的步骤进一步包括增大所述自动电容调节器的所述位置直到在所述自动电容调节器处测量的电流的量等于所述预定设定点值。

4.如权利要求1所述的方法，其中由所述自动电容调节器控制的所述基板处的离子能的量小于所述预定设定点值，及其中调节所述自动电容调节器的步骤进一步包括增大所述自动电容调节器的所述位置直到在所述自动电容调节器处测量的电流的量等于所述预定设定点值。

5.如权利要求1所述的方法，其中由所述自动电容调节器控制的所述基板处的离子能的量大于所述预定设定点值，及其中调节所述自动电容调节器的步骤进一步包括减小所述自动电容调节器的所述位置直到在所述自动电容调节器处测量的电流的量等于所述预定设定点值。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在所述第一侵蚀状态下的所述源材料是实质上未侵蚀的。

7.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中在所述第二侵蚀状态下的所述源材料是实质上已侵蚀的。

8.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述源材料为钛(Ti)、钽(Ta)、铜(Cu)、钴(Co)、钨(W)或铝(Al)中的一种。

9.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述等离子体形成气体包括氩(Ar)、氦(He)、氙(Xe)、氖(Ne)、氢(H₂)、氮(N₂)、氧(O₂)中的一或多种。

10.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其中所述第一量的RF功率为500W至20000W。