[发明专利]碳纳米管高密度集合体及碳纳米管高密度集合体的制造方法

说明书

碳纳米管高密度集合体的制造方法包括以下步骤：准备配置在基板上、且由相对于基板而垂直地取向的多根碳纳米管构成的碳纳米管集合体；以及在2600℃以上对碳纳米管集合体进行加热处理。

技术领域

本发明涉及一种碳纳米管高密度集合体及碳纳米管高密度集合体的制造方法。

背景技术

已知碳纳米管具有优异的机械强度、导热性及导电性。因此，正在研究使多根碳纳米管成长而制成碳纳米管集合体，用于各种工业产品。

对于这样的碳纳米管集合体而言，为了进一步提高导热性及导电性，期望多根碳纳米管的高密度化，因而正在研究各种可实现高密度化的碳纳米管集合体的制造方法。

例如已提出有一种取向碳纳米管/块集合体的制造方法，其通过化学气相成长方法在基板上使与基板面垂直而取向的多根碳纳米管成长后，将多根碳纳米管从基板剥离，将剥离的多根碳纳米管暴露于水等液体下，接着进行干燥(例如参照专利文献1)。

而且，在这样的取向碳纳米管/块集合体的制造方法中，制造密度为0.2g/cm³～1.5g/cm³的取向碳纳米管/块集合体。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利公开2007-182352号公报

发明内容

(一)要解决的技术问题

然而，在专利文献1所记载的取向碳纳米管/块集合体的制造方法中，在将多根碳纳米管暴露于液体下时，有时多根碳纳米管的取向产生混乱，难以在取向碳纳米管/块集合体中确保多根碳纳米管的取向性。

因此，对于这样的取向碳纳米管/块集合体而言，在碳纳米管的取向方向上分别提高导热率及导电率存在极限。

因此，本发明的目的在于提供一种可在碳纳米管的取向方向上分别提高导热率及导电率的碳纳米管高密度集合体及碳纳米管高密度集合体的制造方法。

(二)技术方案

本发明(1)包括一种碳纳米管高密度集合体的制造方法，其包括以下步骤：准备配置在基板上、且由相对于所述基板而垂直地取向的多根碳纳米管构成的碳纳米管集合体；以及在2600℃以上对所述碳纳米管集合体进行加热处理。

根据这样的方法，将由相对于基板而垂直地取向的多根碳纳米管构成的碳纳米管集合体在2600℃以上进行加热处理，故构成碳纳米管的石墨烯(graphene)的结晶性提高，碳纳米管的取向性(直线性)提高。

若碳纳米管的取向性(直线性)提高，则在碳纳米管集合体中，彼此邻接的碳纳米管凝聚。

结果，碳纳米管高密度集合体能够确保多根碳纳米管的取向性，并且提高多根碳纳米管的平均密度，且能够实现多根碳纳米管的密度的均匀化。由此，碳纳米管高密度集合体能够在碳纳米管的取向方向上分别提高导热率及导电率。

即，根据本发明的碳纳米管高密度集合体的制造方法，其为简易的方法，并且能够制造能在碳纳米管的取向方向上分别提高导热率及导电率的碳纳米管高密度集合体。

本发明(2)包括如上述(1)所记载的碳纳米管高密度集合体的制造方法，其中，在对所述碳纳米管集合体进行加热处理的步骤中，将所述碳纳米管集合体从所述基板剥离后，对所述碳纳米管集合体进行加热处理。

根据这样的方法，对从基板剥离的碳纳米管集合体进行加热处理，故能够在碳纳米管集合体中，使多根碳纳米管以可靠地维持取向性的状态顺畅地凝聚。

另外，若在2600℃以上对配置在基板上的碳纳米管集合体进行加热处理，则有时基板溶解，该溶解的基板附着于碳纳米管集合体、用于对碳纳米管集合体进行加热的加热炉上。