[发明专利]以高温聚合物接合剂接合至金属基底的陶瓷静电夹盘

说明书

本发明所描述的实施例提供一种基板支撑组件，基板支撑组件能够进行高温处理。基板支撑组件包括通过接合层而固定到冷却基底的静电夹盘。接合层具有第一层和第二层。第一层具有包括约摄氏300度的温度的操作温度。第二层具有低于摄氏250度的最高操作温度。

技术领域

本文描述的实施例一般涉及半导体制造，且更具体地涉及适合用于高温半导体制造的基板支撑组件。

背景技术

可靠地生产纳米和更小的特征是对于半导体组件的下一代大规模集成电路(VLSI)和超大规模集成电路(ULSI)的关键技术挑战之一。然而，由于电路技术的限制被推进，VLSI和ULSI互连技术的缩小尺寸对于处理能力提出额外需求。在基板上的闸极结构的可靠形成对于VLSI和ULSI的成功和对于增加电路密度和个别基板和管芯的质量之后续努力是重要的。

为压低制造成本，集成芯片(IC)从每个经处理的硅基板制造需求更高的产出和更好的组件产量和性能。正被探讨用于在当前的发展下的下一代装置的一些制造技术需要在以高于摄氏300度的温度处理。传统的静电夹盘通常被接合到在基板支撑组件中的冷却板，其中接合剂的介电特性是对高温敏感的。然而，传统的静电夹盘可在温度接近摄氏250度或更高时遭遇基板支撑组件内的接合问题。接合剂可能放出气体到处理容积中，造成腔室中的污染，或可能有分层的问题。另外，接合剂可能完全失败，造成基板支撑件中的真空损失或移动。腔室可能需要停机时间来修复这些缺陷，这影响了成本、产量和性能。

因此，存在有用于适合在处理温度等于或高于摄氏250度时使用的改良的基板支撑组件的需求。

发明内容

本文描述的实施例提供一种基板支撑组件，基板支撑组件能够进行高温处理。基板支撑组件包括通过接合层而固定到冷却基底的静电夹盘。接合层具有第一层和第二层。第一层具有包括约摄氏300度的温度的操作温度。第二层具有低于摄氏250度的最高操作温度。

在另一个实施例中，基板支撑组件包括通过接合层而固定到冷却基底的静电夹盘。接合层具有第一层、第二层和第三层。第一层与静电夹盘接触并具有包括约摄氏300度的温度的操作温度。第二层被设置在第一和第三层之间，并且具有低于摄氏250度的最高操作温度。第三层被设置成与冷却板接触，并且具有低于第二层的最高操作温度的最高操作温度。

在又一实施例中，基板支撑组件包括固定到冷却基底的静电夹盘。金属板是设置在静电夹盘的底表面的下方。接合层是设置在金属板和冷却板的顶表面之间。接合层具有第一层和第二层。第一层与静电夹盘接触并具有包括约摄氏300度的温度的操作温度。第二层具有低于摄氏250度的最高操作温度。

附图说明

为使本发明的上述所载的特征可被详细理解，可通过参照实施例而对上文概述的本发明作更具体的说明，其中一些实施例在附图中示出。然而，应注意附图仅示出了本发明的通常实施例，且不因此被视为限制本发明的范围，因为本发明可采用其他等效的实施例。

图1是具有基板支撑组件的一个实施例的处理腔室的剖面示意性侧视图。

图2是基板支撑组件的部分剖面示意性侧视图，详细说明了设置在静电基板支撑件和冷却基底之间的接合层的一个实施例。

图3示出了在静电基板支撑件的底视图中的电插座。

图4是基板支撑组件的部分剖面示意性侧视图，详细说明了设置在静电基板支撑件和冷却基底之间的接合层的另一个实施例。

为帮助理解，在可能的情况下，使用相同的附图标记来表示附图中相同的组件。可预期的是在一个实施例中公开的组件可被有利地使用于其他实施例而无需具体地叙述。

具体实施方式