[发明专利]磁性隧道结、形成磁性隧道结时所使用的方法及形成磁性隧道结的方法

权利要求书

1.一种在形成磁性隧道结时所使用的方法，其包括：

在非晶磁电极材料上方形成非磁隧道绝缘体材料，所述隧道绝缘体材料包括MgO，所述非晶磁电极材料包括Co及Fe，B接近所述隧道绝缘体材料与所述非晶磁电极材料的相对的表面；

使所述非晶磁电极材料结晶成结晶磁电极材料；及

在所述结晶之后，在所述磁电极材料及所述隧道绝缘体材料中的至少一者的侧壁上方形成B吸收材料且将B从接近所述相对的表面处横向吸收到所述B吸收材料中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸收主要发生于所述B吸收材料的所述形成期间。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述吸收主要发生于所述B吸收材料的所述形成之后。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所吸收的B的至少一些与所述B吸收材料发生化学反应以形成包括B的反应产物。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述B吸收材料至少在所述吸收之后是导电的。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述B吸收材料包括元素形式金属或两个以上金属元素的合金。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述金属包括Al、Ta或W。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述B吸收材料至少在所述吸收之后是半导电的。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述半导电B吸收材料包括AlN。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述B吸收材料至少在所述吸收之后是绝缘的。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘B吸收材料包括Al₂O₃。

12.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘B吸收材料包括Si₃N₄及AlN的组合。

13.根据权利要求10所述的方法，其中所述绝缘B吸收材料包括SiO₂及Al₂O₃的组合。

14.根据权利要求1所述的方法，其中所述B吸收材料经形成以具有从10埃到200埃的最小横向厚度。

15.根据权利要求14所述的方法，其中所述B吸收材料经形成以具有不超过100埃的最小横向厚度。

16.根据权利要求1所述的方法，其包括在吸收所述B之后，移除所述B吸收材料的任何残余物、B与所述B吸收材料的任何反应产物的任何残余物，及所吸收的B。

17.根据权利要求1所述的方法，其包括将所述B吸收材料、B与所述B吸收材料的任何反应产物的任何残余物及所吸收的B并入到涵盖所形成的所述磁性隧道结的已完成电路构造中。

18.根据权利要求1所述的方法，其包括用所述B吸收材料覆盖所述磁电极材料的所述侧壁的全部。

19.根据权利要求1所述的方法，其包括在所述隧道绝缘体材料的侧壁上方形成所述B吸收材料。

20.根据权利要求19所述的方法，其包括用所述B吸收材料覆盖所述磁电极材料的所述侧壁的全部及所述隧道绝缘体的所述侧壁的全部。