[发明专利]SiC外延晶片、SiC外延晶片的制造方法有效
| 申请号： | 201680011723.9 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107407007B | 公开（公告）日： | 2022-04-26 |
| 发明（设计）人： | 乘松润;宫坂晶;影岛庆明;龟井宏二;武藤大祐 | 申请（专利权）人： | 昭和电工株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;H01L21/20;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 刘航;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | sic 外延 晶片 制造 方法 | ||
1.一种SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11-20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，
所述SiC外延晶片中含有的、在外延层表面形成为线状的梯形缺陷，包含偏移下游的下底的长度为偏移上游的上底的长度以下的倒梯形缺陷。
2.根据权利要求1所述的SiC外延晶片，所述梯形缺陷中的所述倒梯形缺陷的比例为50％以上。
3.根据权利要求1或2所述的SiC外延晶片，在所述倒梯形缺陷中，具有所述偏移下游的下底的长度为0、形状为三角形的缺陷。
4.一种SiC外延晶片的制造方法，是制造权利要求1～3的任一项所述的SiC外延晶片的方法，具有：
在SiC单晶基板上蚀刻的蚀刻工序；和
在蚀刻后的SiC单晶基板上使外延层生长的外延生长工序，
在所述蚀刻工序之前，测定梯形缺陷的在面内的分布，根据所把握的梯形缺陷的形状的分布和需要的生长膜厚，设定使梯形缺陷的下底的长度为300μm以下的外延生长条件，
在所述外延生长工序中，Si系原料气体和C系原料气体的浓度比C/Si为1.0以下。
5.根据权利要求4所述的SiC外延晶片的制造方法，所述外延生长工序中的温度为1630℃以下。
6.根据权利要求4或5所述的SiC外延晶片的制造方法，在所述蚀刻工序中，蚀刻气体为硅烷(SiH4)气体。
7.根据权利要求4或5所述的SiC外延晶片的制造方法，所述蚀刻工序中的温度比所述外延生长工序中的温度低。
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