[发明专利]扇出型晶片级封装件(FOWLP)中的射频(RF)屏蔽

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

扇出型晶片级封装件FOWLP，包括至少一个导体部分和至少一个绝缘体部分；

第一芯片，包括第一多个接触件，所述第一芯片被定位为与所述FOWLP直接接触；

第二芯片，包括第二多个接触件，所述第二芯片被定位为与所述FOWLP直接接触，所述第一芯片和所述第二芯片通过间隙来间隔开，并且所述FOWLP的所述至少一个导体部分被定位为与在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙正对；以及

导体屏蔽件，包括多个导体表面，所述导体表面中的至少一个导体表面在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙下方延伸并且直接连接到所述FOWLP的与在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙正对的所述至少一个导体部分，所述导体表面中的至少一个导体表面直接围绕所述第一芯片，并且所述导体表面中的至少一个导体表面直接围绕所述第二芯片，

其中包括所述第一多个接触件的底表面的所述第一芯片的底表面、包括所述第二多个接触件的底表面的所述第二芯片的底表面、以及在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙下方延伸的并且与所述FOWLP的与在所述第一芯片与所述第二芯片之间的所述间隙正对的所述至少一个导体部分直接连接的所述导体表面中的所述至少一个导体表面实质上彼此齐平。

2.根据权利要求1所述的器件，其中所述FOWLP包括插入式FOWLP。

3.根据权利要求2所述的器件，其中所述插入式FOWLP包括多个电介质部分和多个导体部分。

4.根据权利要求3所述的器件，

其中所述插入式FOWLP的所述电介质部分包括所述FOWLP的所述至少一个绝缘体部分，并且

其中所述插入式FOWLP的所述导体部分包括所述FOWLP的所述至少一个导体部分。

5.根据权利要求1所述的器件，其中所述第一多个接触件和所述第二多个接触件包括传导性接触件。

6.根据权利要求1所述的器件，

其中所述FOWLP包括多个导体部分，所述多个导体部分包括所述至少一个导体部分，并且

其中所述第一多个接触件和所述第二多个接触件中的至少一些接触件直接连接到所述FOWLP的导体部分中的至少一些导体部分。

7.根据权利要求1所述的器件，

其中所述FOWLP包括多个绝缘体部分，所述多个绝缘体部分包括所述至少一个绝缘体部分，

其中所述第一芯片直接连接到所述FOWLP的绝缘体部分中的至少一个绝缘体部分，并且

其中所述第二芯片直接连接到所述FOWLP的绝缘体部分中的至少另一绝缘体部分。

8.根据权利要求1所述的器件，还包括布置在所述导体屏蔽件上的模制件。

9.根据权利要求8所述的器件，其中所述模制件通过所述导体屏蔽件与所述第一芯片和所述第二芯片分离。