[发明专利]形成磁隧道结的磁电极的方法及形成磁隧道结的方法有效
| 申请号： | 201680012152.0 | 申请日： | 2016-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN107258024B | 公开（公告）日： | 2020-03-03 |
| 发明（设计）人： | 曼札拉·西迪克;维托·库拉;古尔特杰·S·桑胡 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 路勇 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 形成 隧道 磁电 方法 | ||
1.一种形成磁隧道结的磁电极的方法，其包括：
使包括MgO的非磁材料形成于所形成的所述磁电极的导电材料上方；
使非晶体金属形成于所述包括MgO的材料上方，所述非晶体金属包括：
a)Mo和Cr中的至少一者以及Fe、Co和Ni中的至少一者的合金；或
b)Al和Ni的合金；
使包括Co及Fe的非晶体磁电极材料形成于所述非晶体金属上方，所述非晶体磁电极材料缺乏B；
直接抵靠所述非晶体磁电极材料而形成包括MgO的非磁隧道绝缘体材料，所述隧道绝缘体材料缺乏B；及
在形成所述隧道绝缘体材料之后，在至少250℃的温度下使所述包括Co及Fe的非晶体磁电极材料退火以从所述隧道绝缘体材料的包括MgO的表面形成包括Co及Fe的结晶磁电极材料，所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料缺乏B。
2.根据权利要求1所述的方法，其包括使包括Co、Fe及B的材料形成于所述导电材料上方；且使所述包括MgO的材料形成于所述包括Co、Fe及B的材料上方。
3.根据权利要求1所述的方法，其中直接抵靠所述非晶体金属而形成所述非晶体磁电极材料的所述Co及Fe。
4.根据权利要求1所述的方法，其中在0℃到30℃的温度下形成所述非晶体磁电极材料。
5.根据权利要求4所述的方法，其中在至少20℃的温度下形成所述非晶体磁电极材料。
6.根据权利要求1所述的方法，其中在-250℃到小于0℃的温度下形成所述非晶体磁电极材料。
7.根据权利要求6所述的方法，其中在-250℃到-20℃的温度下形成所述非晶体磁电极材料。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属具有3埃到5埃的最大厚度。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述包括Co及Fe的结晶磁电极材料具有7埃到15埃的最大厚度。
10.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属包括Al和Ni的合金。
11.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属包括Mo以及Fe、Co和Ni中的至少一者的合金。
12.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属包括Cr以及Fe、Co和Ni中的至少一者的合金。
13.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属包括包含Mo和Cr中的至少一者以及Fe的合金。
14.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属包括包含Mo和Cr中的至少一者以及Co的合金。
15.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属包括包含Mo和Cr中的至少一者以及Ni的合金。
16.根据权利要求1所述的方法，其中所述非晶体金属包括包含Mo和Cr的合金。
17.一种磁隧道结，其并入有使用根据权利要求1所述的方法所产生的所述磁电极。
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