[发明专利]负泊松比华夫式结构有效

专利信息
申请号: 201680012209.7 申请日: 2016-01-09
公开(公告)号: CN108367536B 公开(公告)日: 2020-11-20
发明(设计)人: 马修·克里斯托弗·英尼斯;范明泉;梅根·斯查恩泽;阿里·莎尼恩;法拉德·加玮德;卡蒂亚·伯托蒂 申请(专利权)人: 哈佛大学校董委员会;西门子加拿大有限公司
主分类号: B32B15/00 分类号: B32B15/00
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;洪欣
地址: 美国马*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 泊松比 华夫式 结构
【权利要求书】:

1.拉胀结构,包含:

第一片,在所述第一片中限定第一多个结构元件和第二多个结构元件,所述第一多个结构元件以凸状浅凹的形式从所述第一片突出,所述凸状浅凹以垂直于所述第一片的平面的第一方向离开所述平面,所述第二多个结构元件以凸状浅凹的形式从所述第一片突出,所述凸状浅凹以垂直于所述第一片的所述平面的第二方向离开所述平面,所述第二方向与所述第一方向相反,所述第一多个结构元件以相对于所述第二多个结构元件交替的关系布置,所述第一多个结构元件和所述第二多个结构元件是无孔的并具有防止流体通过所述第一多个结构元件和所述第二多个结构元件的零孔隙率;以及

第二片,所述第二片与所述第一片相邻布置以限定所述第一片与所述第二片之间的第一内腔,

其中所述第一多个结构元件和所述第二多个结构元件提供沿所述第一片的平面的负泊松比(NPR),

其中所述第一片是厚度比横向尺寸小十倍的薄壁或薄壳结构,以及

其中所述第一多个结构元件和所述第二多个结构元件中的每个结构元件具有从所述第一片的平面突出的截面半径和短轴,所述截面半径小于所述厚度的十倍或所述短轴的一半小于所述厚度的十倍。

2.如权利要求1所述的拉胀结构,其中所述第二片是平坦的。

3.如权利要求1所述的拉胀结构,其中所述第二片限定以凸状浅凹的形式从所述第二片突出的第三多个结构元件和以凸状浅凹的形式从所述第二片突出的第四多个结构元件,所述第四多个结构元件以与所述第三多个结构元件相反的方向突出。

4.如权利要求1所述的拉胀结构,其中所述第一片的所述第一多个结构元件和所述第二多个结构元件为椭球冠的形式。

5.如权利要求3所述的拉胀结构,其中所述第二片的所述第三多个结构元件和所述第四多个结构元件为椭球冠的形式。

6.如权利要求3所述的拉胀结构,其中所述第一片的所述第一多个结构元件与所述第二片的所述第三多个结构元件中的对应的结构元件对齐使得对应的凸状浅凹彼此相邻,所述第一片的所述第二多个结构元件与所述第二片的所述第四多个结构元件中的对应的结构元件对齐使得对应的凸状浅凹彼此相邻。

7.如权利要求1至6中任一项所述的拉胀结构,其中所述第一片和所述第二片各自包括金属片。

8.如权利要求2至6中任一项所述的拉胀结构,还包含:

第三片,所述第三片与所述第二片相邻布置以限定所述第三片与所述第二片之间的第二内腔。

9.如权利要求8所述的拉胀结构,其中所述第二片在其中包含多个开口,以允许所述第一内腔与所述第二内腔之间的流动。

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