[发明专利]用于定制应用的动态近似存储

权利要求书

1.一种用于动态近似存储的存储器芯片，包括：

存储器单元阵列，所述阵列包括至少两个区域；

至少一个阈值寄存器，所述至少一个阈值寄存器用于存储用于与所述至少两个区域中的每个区域相对应的存储器单元的阈值的值；以及

控制逻辑，所述控制逻辑用以可编程地调节用于所述存储器单元的所述阈值的所述值，

其中所述可编程的调节是基于数据属性，所述数据属性包括与特定数据相关联的精确度级别，以使得定义位级别或位模式的分割被配置用于所述至少两个区域的所述存储器单元。

2.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中阈值的所述值表示电阻阈值。

3.根据权利要求2所述的存储器芯片，其中用于针对所述至少两个区域中的至少一个区域的所述存储器单元的所述电阻阈值指示对数标度电阻带中的非均匀性。

4.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中阈值的所述值表示电压阈值。

5.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中所述存储器单元包括单级单元或多级单元中的至少一个，其中所述至少两个区域具有对应的至少两种类型的可用的纠错开销。

6.根据权利要求1所述的存储器芯片，进一步包括控制器，所述控制器提供各种纠错码，其中所述控制器存储区域至配置映射，以指示所述至少两个区域中的请求所针对的合适的区域和来自所述各种纠错码中的一个纠错码的用以服务于所述请求的合适的纠错强度。

7.根据权利要求1所述的存储器芯片，进一步包括用于存储位模式表的至少一个位模式映射寄存器，所述位模式表将特定位模式映射至所述至少两个区域中的所述区域中的至少一个区域的多级单元中的特定级别，其中所述控制逻辑进一步包括用以可编程地指派被映射至所述特定级别的所述特定位模式的控制逻辑。

8.根据权利要求1所述的存储器芯片，其中所述存储器芯片是安全数字(SD)非易失性存储器卡。

9.一种控制用于动态近似存储的存储设备的方法，包括：

修改被存储在阈值寄存器中并且与存储器的区域中的至少一个单元相关联的至少一个值，以将偏置应用于所述至少一个单元，所述存储器包括至少两个区域，

其中所述偏置基于针对被存储在所述单元中数据的精确度级别的属性来调节单元中值的范围，

其中所述单元中所述值的所述范围表示定义位级别或位模式的分割。

10.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

将位模式指派给所述单元中的所述值的所述范围中的每个范围。

11.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：

将第一级别的纠错指派给所述至少两个区域的中一个区域，以及将第二级别的纠错指派给所述至少两个区域中的第二区域。

12.根据权利要求9所述的方法，其中所述偏置产生对数标度范围中的非均匀性。

13.根据权利要求9所述的方法，其中所述存储器是相变存储器，并且所述值表示电阻值。

14.根据权利要求9所述的方法，其中所述值表示电压值。