[发明专利]包括具有体极连接的开关晶体管的RF电路

权利要求书

1.一种RF电路，包括：

第一N沟道晶体管；

第二N沟道晶体管，其中所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管从RF信号节点源漏耦合到地；

栅极控制电压输入，与所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管的栅极端子耦合，所述栅极控制电压输入被配置为施加栅极控制电压；

体极控制电压输入，与所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管的体极端子耦合，所述体极控制电压输入被配置为施加体极控制电压，其中当所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管处于导通状态时，所述体极控制电压为正偏置电压，并且其中所述正偏置电压大于所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管中的每一个晶体管的p-n结的内建电压；以及

电压控制源，所述电压控制源产生所述栅极控制电压和所述体极控制电压，作为通过第一电阻施加到所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管的所述栅极端子的、并且通过第二电阻施加到所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管的所述体极端子的单个控制电压；

其中所述第一电阻不同于所述第二电阻；并且

其中所述第一电阻和所述第二电阻共享公共电路节点。

2.根据权利要求1所述的RF电路，还包括：

产生所述栅极控制电压的第一电压控制源；以及

产生所述体极控制电压的第二电压控制源，其中所述第二电压控制源与所述第一电压控制源不同。

3.根据权利要求2所述的RF电路，其中：

所述第一电压控制源是第一电平移位器；并且

所述第二电压控制源是第二电平移位器。

4.根据权利要求1所述的RF电路，其中所述第二电阻包括：

第一电阻器，与所述第一N沟道晶体管的体极端子串联并且耦合在所述体极控制电压输入与所述第一N沟道晶体管的体极端子之间；以及

第二电阻器，与所述第二N沟道晶体管的体极 端子串联并且耦合在所述体极控制电压输入与所述第二N沟道晶体管的体极端子之间。

5.根据权利要求1所述的RF电路，其中：

当所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管处于导通状态时的所述正偏置电压大于0.7伏特。

6.根据权利要求1所述的RF电路，其中：

当所述第一N沟道晶体管和所述第二N沟道晶体管处于导通状态时，所述正偏置电压改善了所述RF电路的器件线性度。

7.根据权利要求6所述的RF电路，其中：

改善的所述器件线性度是减轻的谐波信号。

8.根据权利要求7所述的RF电路，其中：

所述谐波信号在所述RF电路的基频的三倍处。

9.根据权利要求6所述的RF电路，其中：

改善的所述器件线性度是减轻的互调失真。