[发明专利]在介电基板上适合于形成导电聚合物的含高分子量酸的组合物

权利要求书

1.在介电基板表面上形成导电聚合物的组合物，该组合物包含能形成传导性聚合物的至少一种可聚合单体，乳化剂和酸，其特征在于，该组合物包含选自锂离子，钠离子，铝离子，铍离子，铋离子，B_xO_y-阴离子，铟离子和烷基咪唑鎓离子中的至少一种金属或含氮离子，其中该酸是分子量为至少500,000Da的聚合物型酸。

2.权利要求1的组合物，其中聚合物型酸的分子量为至少约600,000Da，至少约700,000Da，至少约800,000Da，至少约900,000Da，至少约1,000,000Da，或至少约1,250,000Da。

3.权利要求1的组合物，其中聚合物型酸的分子量为约500,000Da至约1,500,000Da，约700,000至约1,300,000Da，或约900,000至约1,100,000Da。

4.前述任何一项权利要求的组合物，其中该酸包括选自硫酸，磺酸，烷基磺酸，聚合物型磺酸，聚苯乙烯磺酸，多聚磷酸，羟基乙磺酸，磺基琥珀酸，芳基磺酸，对甲苯磺酸中的至少一种酸和/或酸的盐。

5.权利要求4的组合物，其中酸包括聚合物型磺酸。

6.权利要求5的组合物，其中聚合物型磺酸包括聚(乙烯基芳基)磺酸。

7.权利要求6的组合物，其中酸是聚苯乙烯磺酸。

8.权利要求7的组合物，其中聚苯乙烯磺酸以钠盐形式引入到组合物内。

9.权利要求8的组合物，其中聚苯乙烯磺酸的钠盐提供组合物中的基本上所有的至少一种金属或含氮离子。

10.前述任何一项权利要求的组合物，其中金属或含氮离子选自锂离子和钠离子，其浓度为0.001mol/L至溶解度限度。

11.前述任何一项权利要求的组合物，其中可聚合单体是具有下述结构的杂环芳族分子：

其中：X为O、S或N；以及R1和R2各自独立地为氢、卤素、取代或未取代的具有1至8个碳原子的烷基、取代或未取代的具有1至8个碳原子的烷氧基。

12.前述任何一项权利要求的组合物，其中包括浓度范围为0.1mL/L至200mL/L的乳化剂。

13.前述任何一项权利要求的组合物，进一步包含选自水，甲醇，乙醇，正丙醇，异丙醇，高级醇，多元醇，二甲基甲酰胺，甲乙酮，枯烯磺酸盐，N-甲基吡咯烷酮，三甘醇二甲醚、二甘醇二甲醚和甲苯磺酸酯的碱金属盐或它们的乙酯中的至少一种溶剂。

14.前述任何一项权利要求的组合物，进一步包含用于电解沉积金属的阳离子源。

15.前述任何一项权利要求的组合物，其中乳化剂是非离子表面活性剂。

16.权利要求15的组合物，其中非离子表面活性剂是烷氧基化芳烷基酚。

17.权利要求16的组合物，其中非离子表面活性剂是乙氧基化三苯乙烯基酚。

18.权利要求1-14任何一项的组合物，其中乳化剂是阴离子多芳基酚烷氧基化物或多芳基酚烷氧基化物的盐。

19.权利要求1-14任何一项的组合物，其中乳化剂选自磺基烷基化多烷氧基化萘酚的盐或芳烷基取代的磺基多烷氧基化酚。

20.权利要求19的组合物，其中乳化剂是具有根据下式的分子结构的化合物：

聚(氧-l,2-乙二基)-α-磺基-ω-[双(1-苯乙基)苯氧基]-铵盐。

21.权利要求1-14任何一项的组合物，包含相应于下述结构式的乳化剂：

22.前述任何一项权利要求的组合物，进一步包括锰离子。

23.通过沉积金属来金属化介电基板表面的方法，该方法包括：

在权利要求1-22任何一项的组合物内浸渍基板，以在介电基板表面上形成导电聚合物；和在所述导电聚合物上沉积金属。