[发明专利]大脑活动测量和反馈系统在审
申请号: | 201680012800.2 | 申请日: | 2016-03-01 |
公开(公告)号: | CN107405101A | 公开(公告)日: | 2017-11-28 |
发明(设计)人: | T·塔迪;G·加里派利;D·派瑞玛科斯;N·布尔道德;热拉儿多德杰西·查维斯卡斯塔尼达;L·波洛迈 | 申请(专利权)人: | 迈恩德玛泽股份有限公司 |
主分类号: | A61B5/0478 | 分类号: | A61B5/0478;G02B27/01;G06F3/01;H01L31/0232 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司11262 | 代理人: | 杨明钊,陆建萍 |
地址: | 瑞士埃*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大脑 活动 测量 反馈 系统 | ||
1.一种头戴式设备(2),其包括具有大脑电活动(EEG)传感器(22)的EEG感测装置(3),所述EEG感测装置(3)被配置来安装在佩戴者的头部上,以便将所述EEG传感器(22)定位在所述佩戴者的头皮之上的选定感兴趣位置处,所述EEG感测装置包括传感器支撑件(4)和组装到所述传感器支撑件的柔性电路(6),所述传感器支撑件和所述柔性电路包括:中央主干(4a、6a),其被配置来在从鼻根到枕骨隆突的方向上沿着所述头部的顶部的中心平面延伸;前侧向分支(4b、6b),其被配置来横跨佩戴者头部的前部部分延伸,从所述中央主干侧向延伸;中央侧向分支(4c、6c),其被配置来基本上在所述佩戴者的耳朵之间横跨佩戴者头部的顶部部分延伸;以及后侧向分支(4d、6d),其被配置来横跨佩戴者头部的后部部分延伸,其中所述传感器支撑件(4)包括底壁(401)和侧壁(402),所述侧壁(402)沿着所述底壁的边缘延伸以形成所述柔性电路(6)插入其中的基本上平坦的“U”形通道(403),并且所述底壁包括EEG传感器孔(404)以允许触及所述柔性电路上的EEG传感器触点或电极。
2.根据权利要求1所述的头戴式设备,其中所述侧向分支中的每一个还包括延伸部(4b1、4b2;6b1、6b2;4c1、4c2;6c1、6c2;4d1、4d2;6d1、6d2),所述延伸部包括在从前到后或从后到前的方向上延伸的延伸部,并且其中EEG传感器沿着所述主干、所述分支和所述延伸部定位在离散间隔开的位置中。
3.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其中顶壁或柔性密封材料(5)安装或填充在所述通道中的所述柔性电路之上,以便以防水方式将所述柔性电路上的电路轨道和部件密封在所述通道内。
4.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其中所述传感器支撑件是由柔性聚合物材料模制或形成的单件式零件。
5.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其中所述柔性电路包括单件式柔性衬底。
6.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其中所述传感器支撑件还包括张紧器锚固件(405),所述张紧器锚固件(405)被配置来将弹性张紧器(7)锚固在所述EEG感测装置的所述主干、所述分支和所述延伸部中的位置之间,并且还锚固在所述EEG感测装置与头部安装式框架支撑件(9)之间。
7.根据前一项权利要求所述的头戴式设备,其中所述柔性电路包括用于所述张紧锚固件的孔(605)。
8.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其中靠近所述柔性电路上的每个EEG传感器定位有离散EEG信号放大器(8b),所述EEG信号放大器(8b)被配置来放大由所述对应EEG传感器拾取的大脑电活动信号。
9.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其中所述EEG传感器包括呈导电电路垫形式的电极,所述电极位于所述柔性电路的衬底的旨在面向所述佩戴者的头皮的表面上。
10.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其中所述EEG传感器包括突出的导电可压缩元件,所述导电可压缩元件安装在所述柔性衬底上并且电连接到所述柔性电路的衬底的电路迹线。
11.根据前述任一项权利要求所述的头戴式设备,其还包括头部安装式显示器(HMD)(19),所述HMD固定到头部安装式框架支撑件并且被配置来定位在所述头戴式设备的佩戴者的眼睛之上,其中所述HMD包括:显示单元,其具有呈电子屏幕形式的显示装置,所述显示装置被配置用于定位在所述佩戴者的眼睛前方以向所述佩戴者呈现视觉信息;以及任选地另外的部件,其向所述佩戴者提供反馈、刺激或信息。
12.根据紧邻的前一项权利要求所述的头戴式设备,其中所述HMD容纳信息捕捉装置,诸如一个或多个摄像机(30)、深度传感器(28)以及头部移动感测单元(40、50)。
13.根据紧邻的前两项前述权利要求中任一项所述的头戴式设备,其中所述HMD容纳无线通信装置,以便以无线方式将所述头戴式设备互连到外部电子装置和计算系统。
14.根据紧邻的前三项权利要求中任一项所述的头戴式设备,其中所述HMD容纳用于所述头戴式设备的自主操作的机载电源。
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