[发明专利]半导体装置、该半导体装置的制造方法或包括该半导体装置的显示装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一栅电极；

所述第一栅电极上的第一绝缘膜；

所述第一绝缘膜上的氧化物半导体膜；

各自与所述氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极；

所述氧化物半导体膜上的第二绝缘膜；

所述第二绝缘膜上的第二栅电极；以及

所述第二栅电极上的第三绝缘膜，

其中：

所述氧化物半导体膜包括第一氧化物半导体膜及所述第一氧化物半导体膜上的第二氧化物半导体膜，所述第一氧化物半导体膜及所述第二氧化物半导体膜的每一个包含In、M及Zn，M为Al、Ga、Y或Sn，

所述第二氧化物半导体膜的In与M的原子数比小于所述第一氧化物半导体膜的In与M的原子数比，

所述第二栅电极包含所述氧化物半导体膜中所包含的金属元素中的至少一个，

所述第二栅电极包括第三氧化物半导体膜以及所述第三氧化物半导体膜上的第四氧化物半导体膜，所述第三氧化物半导体膜及所述第四氧化物半导体膜的每一个包含In、M及Zn，M为Al、Ga、Y或Sn，

所述第三氧化物半导体膜包括满足In≤M的区域，以及

所述第四氧化物半导体膜包括满足In≥M的区域。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中所述第二栅电极通过所述第一绝缘膜及所述第二绝缘膜中的开口部与所述第一栅电极电连接。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中：

所述第一氧化物半导体膜包括满足In＞M的区域，而且

所述第二氧化物半导体膜包括满足In≤M的区域。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述氧化物半导体膜包括具有c轴取向性的结晶部。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中所述第三绝缘膜包含氢和氮中的至少一个。

6.一种显示装置，包括：权利要求1或2所述的半导体装置；以及显示元件。

7.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：

形成第一栅电极；

在所述第一栅电极上形成第一绝缘膜；

在所述第一绝缘膜上形成第一氧化物半导体膜；

在所述第一氧化物半导体膜上形成第二氧化物半导体膜；

在所述第二氧化物半导体膜上形成源电极及漏电极；

在所述第二氧化物半导体膜、所述源电极及所述漏电极上形成第二绝缘膜；

在所述第二绝缘膜上形成被用作第二栅电极的第三氧化物半导体膜；以及

在所述第三氧化物半导体膜上形成包含氢的第三绝缘膜，

其中:

在包含第一氧气体的气氛下形成所述第一氧化物半导体膜，所述第一氧气体被添加到所述第一绝缘膜，

在包含第二氧气体的气氛下形成所述第二氧化物半导体膜，

在包含第三氧气体的气氛下形成所述第三氧化物半导体膜，所述第三氧气体被添加到所述第二绝缘膜，并且，

在形成所述第三绝缘膜的步骤中或在形成所述第三绝缘膜的步骤之后，从所述第三绝缘膜将所述氢添加到所述第三氧化物半导体膜。

8.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中：

所述第二栅电极还包括在所述第三氧化物半导体膜上的第四氧化物半导体膜，

其中在形成所述第三绝缘膜之前且在包含第四氧气体的气氛下形成所述第四氧化物半导体膜。

9.根据权利要求7所述的半导体装置的制造方法，其中利用溅射法分别形成所述第一氧化物半导体膜、所述第二氧化物半导体膜及所述第三氧化物半导体膜。

10.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中利用溅射法分别形成所述第一氧化物半导体膜、所述第二氧化物半导体膜、所述第三氧化物半导体膜及所述第四氧化物半导体膜。

11.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其中所述第三氧气体的流量比所述第四氧气体多。