[发明专利]电路基板及半导体装置

权利要求书

1.一种电路基板，其具备：

具有第1面和第2面的陶瓷基板、

介由第1接合层与所述第1面接合的第1金属板、和

介由第2接合层与所述第2面接合的第2金属板，

所述第1接合层具有按照从所述第1面与所述第1金属板之间伸出的方式在所述第1面上延伸的第1伸出部，

所述第2接合层具有按照从所述第2面与所述第2金属板之间伸出的方式在所述第2面上延伸的第2伸出部，

所述陶瓷基板的3点弯曲强度为500MPa以上，

所述第1伸出部的伸出长度L1相对于所述第1伸出部的厚度H1的比L1/H1、及所述第2伸出部的伸出长度L2相对于所述第2伸出部的厚度H2的比L2/H2中的至少一者为0.5以上且3.0以下，所述L1、L2、H1、H2的单位为μm，

所述第1伸出部的10处的第1维氏硬度的平均值、及所述第2伸出部的10处的第2维氏硬度的平均值中的至少一者为250以下。

2.根据权利要求1所述的电路基板，其特征在于，所述第1维氏硬度的平均值及所述第2维氏硬度的平均值中的至少一者为90以上且230以下。

3.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述第1维氏硬度的平均值及所述第2维氏硬度的平均值中的至少一者为100以上且170以下。

4.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述比L1/H1及所述比L2/H2中的至少一者为1.0以上且2.0以下。

5.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述陶瓷基板为氮化硅基板。

6.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述第1及第2金属板中的至少一者为铜板，

所述铜板的厚度为0.6mm以上，

所述陶瓷基板的厚度为0.4mm以下。

7.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述伸出长度L1及所述伸出长度L2中的至少一者为40μm以下。

8.根据权利要求1所述的电路基板，其中，在所述第1金属板的包含厚度方向的截面中，所述第1金属板的侧面朝向所述第1金属板的上表面的外侧倾斜，

在所述第2金属板的包含厚度方向的截面中，所述第2金属板的侧面朝向所述第2金属板的上表面的外侧倾斜。

9.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述第1维氏硬度的最大值与最小值的差、及所述第2维氏硬度的最大值与最小值的差中的至少一者为50以下。

10.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述第1接合层及所述第2接合层中的至少一者包含Ag、Cu及Ti。

11.根据权利要求10所述的电路基板，其中，所述第1接合层及所述第2接合层中的至少一者进一步包含选自In、Sn及C中的至少一种元素。

12.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述电路基板具备多个所述第1金属板。

13.根据权利要求1所述的电路基板，其中，所述电路基板具备多个所述第1金属板，

所述多个第1金属板之间的最短距离为1.1mm以下。

14.一种半导体装置，其具备：权利要求1所述的电路基板、和

搭载于所述电路基板上的半导体元件。

15.根据权利要求14所述的半导体装置，其中，所述半导体装置具备多个所述半导体元件。