[发明专利]用于材料沉积源布置的分配组件的喷嘴、材料沉积源布置、真空沉积系统和用于沉积材料的方法有效
申请号: | 201680012862.3 | 申请日: | 2016-09-22 |
公开(公告)号: | CN108474102B | 公开(公告)日: | 2020-10-27 |
发明(设计)人: | 安德烈亚斯·洛普;戴特尔·哈斯 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | C23C14/12 | 分类号: | C23C14/12;C23C14/24;C23C14/56;C23C16/455 |
代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 材料 沉积 布置 分配 组件 喷嘴 真空 系统 方法 | ||
1.一种用于已蒸发材料分配组件的喷嘴(100),所述喷嘴包括:
-喷嘴入口(110),用于接收所述已蒸发的材料;
-喷嘴出口(120),用于释放所述已蒸发的材料;以及
-喷嘴通道(130),在所述喷嘴入口(110)和所述喷嘴出口(120)之间延伸,并且包括具有孔径角(α)的出口区段(131),所述孔径角在从所述喷嘴入口(110)到所述喷嘴出口(120)的流动方向(111)上持续增加至所述喷嘴出口(120)。
2.根据权利要求1所述的喷嘴(100),其中所述孔径角(α)持续增加至角度α≥40°。
3.根据权利要求1所述的喷嘴(100),其中所述孔径角(α)从角度α=0°持续增加至角度α=90°。
4.根据权利要求1至3任一项所述的喷嘴(100),其中所述孔径角(α)持续增加,使得所述喷嘴通道(130)的所述出口区段(131)的直径以指数方式增加。
5.根据权利要求1至3任一项所述的喷嘴(100),其中所述孔径角(α)在所述流动方向上持续增加,使得所述喷嘴通道(130)的所述出口区段(131)的直径以圆形分段状方式增加。
6.根据权利要求1至3任一项所述的喷嘴(100),其中所述孔径角(α)持续增加,使得所述喷嘴通道(130)的所述出口区段(131)的直径以抛物线状方式增加。
7.根据权利要求1至3任一项所述的喷嘴(100),其中所述喷嘴包括材料,所述材料适于具有约100℃与约600℃之间的温度的已蒸发的有机材料。
8.根据权利要求1至3任一项所述的喷嘴(100),其中所述喷嘴经构造用于小于0.1sccm的质量流量。
9.根据权利要求1至3任一项所述的喷嘴(100),其中所述喷嘴通道具有小于8mm的最小尺寸。
10.根据权利要求1至3任一项所述的喷嘴(100),所述出口区段(131)具有长度L2,所述长度L2在2mm和20mm之间。
11.根据权利要求1至10任一项所述的喷嘴(100)用于在真空沉积腔室中的基板上沉积材料的应用。
12.根据权利要求1至10任一项所述的喷嘴(100)用于生产有机发光二极管的应用。
13.一种用于在真空沉积腔室中的基板上沉积材料的材料沉积源布置(200),包括:
-分配组件(206),与材料源(204)流体连通;以及
-至少一个根据权利要求1至10任一项所述的喷嘴(100)。
14.根据权利要求13所述的材料沉积源布置(200),其中所述材料源是用于蒸发材料的坩埚,并且其中所述分配组件包括线性分配管道。
15.根据权利要求14所述的材料沉积源布置(200),其中所述至少一个喷嘴(100)与所述线性分配管道流体连通。
16.一种真空沉积系统(300),包括:
-真空沉积腔室(310);
-根据权利要求13至15任一项所述的材料沉积源布置(200),所述材料沉积源布置(200)在所述真空沉积腔室(310)中;以及
-基板支撑件,用于在沉积期间支撑所述基板(170)。
17.根据权利要求16所述的真空沉积系统(300),其中所述真空沉积系统进一步包括位于所述基板支撑件与所述材料源布置之间的像素掩模。
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