[发明专利]系统级封装扇出叠层架构以及工艺流程

权利要求书

1.一种封装，包括：

第一再分配层RDL，所述第一再分配层RDL包括至少一个电介质层和至少一个再分配线；

附接到第一RDL的正面的第一裸片，其中所述第一RDL的至少一个再分配线的第一再分配线沿所述第一裸片的底表面直接形成在第一接触垫上；

将所述第一裸片包封在所述第一RDL的所述正面上的第一模制化合物；

附接到所述第一RDL的背面的第二裸片的顶表面；

第二RDL；

从所述第一RDL的所述背面延伸到所述第二RDL的正面的多个导电柱；

将所述第二裸片、所述第一RDL和所述多个导电柱包封在所述第一RDL的所述背面和所述第二RDL的所述正面之间的第二模制化合物，其中所述第二模制化合物横向围绕所述第一RDL。

2.根据权利要求1所述的封装，还包括位于所述第二RDL的背面上的多个导电凸块。

3.根据权利要求1所述的封装，其中所述第一模制化合物未完全覆盖所述第一裸片的顶表面。

4.根据权利要求3所述的封装，其中所述第二模制化合物未完全覆盖与所述第二RDL相邻的所述第二裸片的底表面。

5.根据权利要求1所述的封装，其中所述第二RDL包括直接形成在所述多个导电柱中的一个导电柱上的第二再分配线。

6.根据权利要求5所述的封装，其中所述第二裸片利用裸片附接膜而被附接到所述第一RDL。

7.根据权利要求6所述的封装，其中所述第二RDL包括直接形成在所述第二裸片的导电触点上的第三再分配线。

8.根据权利要求6所述的封装，其中所述第二裸片的导电触点的底表面和导电柱阵列的底表面共面。

9.根据权利要求5所述的封装，其中所述第二裸片利用焊料凸块而被粘结到所述第一RDL。

10.根据权利要求9所述的封装，其中所述第二模制化合物未完全覆盖与所述第二RDL相邻的所述第二裸片的底表面。

11.根据权利要求9所述的封装，还包括附接到所述第二RDL的所述正面的第三裸片或部件，其中所述第二RDL的第三再分配线直接形成在所述第三裸片或部件的底表面上的第三接触垫上。

12.一种形成扇出系统级封装的方法：

将第一裸片放置在承载衬底上；

利用第一模制化合物来将所述第一裸片包封在所述承载衬底上；

移除所述承载衬底；

在所述第一模制化合物和所述第一裸片上形成第一再分配层RDL，所述第一再分配层RDL包括至少一个电介质层和至少一个再分配线，其中第一RDL的至少一个再分配线的再分配线沿所述第一裸片的底表面直接形成在接触垫上；

在所述第一RDL的背面上形成多个导电柱；

将第二裸片附接到所述多个导电柱的周边内部的所述第一RDL的所述背面；

利用第二模制化合物来包封所述第二裸片、所述第一RDL和所述多个导电柱，其中所述第二模制化合物横向围绕所述第一RDL；以及

在所述第二模制化合物和所述多个导电柱上形成第二RDL。

13.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第二RDL包括在所述多个导电柱上直接形成多个再分配线。

14.根据权利要求12所述的方法，其中形成所述第二RDL包括在所述第二裸片的接触垫上直接形成再分配线。

15.根据权利要求12所述的方法，还包括利用粘合剂层来将所述第二裸片附接到所述第一RDL。