[发明专利]氧化物超导体和其制造方法有效
申请号: | 201680012999.9 | 申请日: | 2016-01-29 |
公开(公告)号: | CN107408427B | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 荒木猛司;林真理子;福家浩之 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01B12/06 | 分类号: | H01B12/06;H01B12/00;H01B13/00;C04B35/45;C04B35/624 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 谭邦会 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 氧化物 超导体 制造 方法 | ||
1.一种氧化物超导体,其包含:
包含氟和碳的REBa2Cu3O7-x,所述氟具有不小于2.0×1016个原子/cc且不大于5.0×1019个原子/cc的浓度,所述碳具有不小于1.0×1018个原子/cc且不大于5.0×1020个原子/cc的浓度,其中RE选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的“RE元素组”,且RE包含至少三种类型的金属元素(M1、M2和M3),所述三种类型的金属元素是按顺序选择的所述RE元素组中的任何元素,满足R(M1)≤20mol%且R(M2)≥60mol%且R(M3)≤20mol%,R(M1)是M1+M2+M3中的M1的平均金属元素比,
所述REBa2Cu3O7-x具有呈c轴取向的单一钙钛矿结构,
在包含所述c轴的横截面的平均膜厚度的50%的位置处满足SD(Ms)>0.15,Ms是R(M1)或R(M3)中非较大的金属元素,SD(Ms)是Ms的浓度值相对于Ms浓度的平均值的标准偏差;并且
其中金属元素M2不是Pr,不是Nd,且不是Sm。
2.根据权利要求1所述的氧化物超导体,其中满足所述SD(Ms)>0.25。
3.一种氧化物超导体,其包含:
包含氟和碳的REBa2Cu3O7-x,所述氟具有不小于2.0×1016个原子/cc且不大于5.0×1019个原子/cc的浓度,所述碳具有不小于1.0×1018个原子/cc且不大于5.0×1020个原子/cc的浓度,其中RE选自Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Y、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的“RE元素组”,且RE包含至少三种类型的金属元素(M1、M2和M3),所述三种类型的金属元素是按顺序选择的所述RE元素组中的任何元素,满足R(M1)≤20mol%且R(M2)≥60mol%且R(M3)≤20mol%,R(M1)是M1+M2+M3中的M1的平均金属元素比,
所述REBa2Cu3O7-x具有呈c轴取向的单一钙钛矿结构,
满足Ms最大≥1.5×Ms最小,Ms为R(M1)或R(M3)中非较大的金属元素,Ms最大和Ms最小分别为包含所述c轴的横截面的平均膜厚度的50%位置处的Ms浓度的最大值和最小值,并且
其中金属元素M2不是Pr,不是Nd,且不是Sm。
4.根据权利要求3所述的氧化物超导体,其中满足Ms最大≥2.3×Ms最小。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化物超导体,其中所述氧化物超导体包括基底构件和氧化物层,其中所述氧化物层设置在基底构件上,或者所述氧化物层设置在置于所述基底构件上的中间层上。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的氧化物超导体,其中所述M1是Pr、Nd或Sm。
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