[发明专利]自适应滋扰过滤器有效

专利信息
申请号: 201680013046.4 申请日: 2016-03-03
公开(公告)号: CN107407648B 公开(公告)日: 2018-10-12
发明(设计)人: 阿迪斯·梁;马丁·普利哈尔;拉加·巴布尔纳特;桑卡·梵卡泰若曼 申请(专利权)人: 科磊股份有限公司
主分类号: G01N23/20 分类号: G01N23/20;G01N21/88;G01N21/95;G01R31/26;G01R31/28
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 张世俊
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 自适应 滋扰 过滤器
【说明书】:

发明提供用于使用自适应滋扰过滤器产生针对样本的检验结果的方法及系统。一种方法包含选择在样本的检验期间检测到的事件的部分,所述检测到的事件的部分具有用于所述事件的至少一个特征的值,所述值比所述事件的另一部分的至少一个特征的值更接近所述滋扰过滤器的至少一个参数的至少一个值。所述方法还包含获取用于事件的样品的输出获取子系统的输出、基于所述获取的输出对所述样品中的所述事件分类且确定是否应基于所述分类的结果修改所述滋扰过滤器的一或多个参数。接着,所述滋扰过滤器或所述经修改滋扰过滤器可应用于所述样本的所述检验的结果以针对所述样本产生最终检验结果。

技术领域

本发明大体上涉及用于使用自适应滋扰过滤器产生针对样本的检验结果的方法及系统。

背景技术

以下描述及实例非鉴于其包含于此章节中而确认为现有技术。

制造半导体装置(例如逻辑及存储器装置)大体上包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如半导体晶片)以形成所述半导体装置的各种特征及多个层级。举例来说,光刻是半导体制造工艺,其涉及将图案从主光罩转印到布置在半导体晶片上的抗蚀剂。半导体制造工艺的额外实例包含但不限于化学机械抛光、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可以某个布置制造在单个半导体晶片上且接着分成个别半导体装置。

在半导体制造工艺期间在各种步骤处使用检验过程以检测晶片上的缺陷。检验过程始终是制造半导体装置(例如集成电路)的重要部分。然而,随着半导体装置的尺寸减少,检验过程对于成功制造可接受的半导体装置变得甚至更重要。举例来说,随着半导体装置的尺寸减少,由于甚至相对较小的缺陷可在半导体装置中引起非所要的像差,因此减少大小的缺陷的检测已变得必要。

检验大体上涉及通过将光或电子引导到晶片且从所述晶片检测光或电子而针对所述晶片产生一些输出(例如,图像、信号等等)。一旦已产生输出,通常将通过将一些缺陷检测方法及/或算法应用于输出来执行缺陷检测。通常基于所述晶片的特性及在所述晶片上待检测的缺陷来确定用以产生输出的参数(例如,光学或电子束硬件设置)、用以检测缺陷的参数(例如,缺陷检测算法设置)及用以产生检验结果的任何其它参数(例如,滋扰过滤器算法设置)。检验配方设置的目标经常为确定参数,所述参数将提供对所关注缺陷的最高灵敏度同时抑制所述晶片上的滋扰及噪声的检测。

可以数种不同方式执行检验配方设置。举例来说,可在一或数个训练晶片上训练检验配方。然而,一旦已产生检验配方,通常将无限期地使用静态检验配方。举例来说,一旦已产生检验配方,通常将无限期地使用所述检验配方同时手动监测所述配方的稳定性(例如,在生产中)。当必要时,可执行检验配方的手动重新调整。然而,用于使用及监测检验配方的此类方法存在数个缺点。举例来说,无法动态调整检验配方以处理变化,相对于滋扰率而趋向于不稳定且仅可手动监测。

因此,开发用于使用自适应滋扰过滤器产生针对样本的检验结果的系统及/或方法(其不具有上文描述的缺点中的一或多者)将是有利的。

发明内容

各种实施例的以下描述不以任何方式被解释为限制所附权利要求书的标的物。

一个实施例涉及一种经配置以使用自适应滋扰过滤器产生针对样本的检验结果的系统。所述系统包含输出获取子系统,所述输出获取子系统包含至少一能源及检测器。所述能源经配置以产生引导到样本的能量。所述检测器经配置以检测来自所述样本的能量且响应于检测到的能量而产生输出。所述系统还包含一或多个计算机子系统,其经配置以用于获取所述样本的检验的结果及用于所述检验的滋扰过滤器的参数。所述结果包含针对在所述检验期间检测到的事件的一或多个特征的值。在所述检验期间确定所述值。计算机子系统还经配置以用于通过选择所述事件的部分而产生所述事件的样品,所述样品具有用于所述一或多个特征的至少一者的值,所述值比针对所述事件的另一部分的所述一或多个特征的所述至少一者的值更接近所述滋扰过滤器的所述参数的至少一者的至少一个值。此外,计算机子系统经配置以用于获取针对所述事件的所述样品的所述输出获取子系统的所述输出且基于所获取的输出对所述样品中的所述事件分类。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于科磊股份有限公司,未经科磊股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680013046.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top