[发明专利]辐射系统有效
申请号: | 201680013084.X | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN107430348B | 公开(公告)日: | 2021-09-24 |
发明(设计)人: | H-K·尼恩惠斯;埃里克·W·博加特;R·L·唐克;B·克鲁兹卡;E·R·鲁普斯特拉;H·博特马;G·C·德弗里斯;O·W·V·弗吉恩斯;J·J·M·巴塞曼斯 | 申请(专利权)人: | ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 张启程 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 辐射 系统 | ||
1.一种包括连续波状反射表面的辐射更改装置,其中所述连续波状反射表面的形状在两个垂直方向上遵循周期性的图案,其中所述连续波状反射表面不包括相邻的反射部分之间的任何陡边界。
2.根据权利要求1所述的辐射更改装置,其中所述周期性波状反射表面的单位单元包括:
第一部分,具有凸起的形状;
第二部分,具有凹入的形状;
第三部分,具有鞍形形状;和
第四部分,具有鞍形形状。
3.根据权利要求2所述的辐射更改装置,其中所述单位单元包括在第一方向上的所述周期性的图案的单个周期和在垂直于所述第一方向的第二方向上的所述周期性的图案的单个周期。
4.根据权利要求2或3所述的辐射更改装置,其中所述反射表面的形状被形成为使得在所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分中的至少一个内,所述反射表面的曲率在各个部分上是相同的。
5.根据权利要求2或3所述的辐射更改装置,其中所述反射表面的形状被形成为使得在所述第一部分、所述第二部分、所述第三部分和所述第四部分中的至少一个内,所述反射表面的曲率在各个部分中的不同位置处是不同的。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的辐射更改装置,其中所述反射表面配置成接收辐射束且反射所述辐射束以便形成修改后的辐射束,且其中所述反射表面的形状被形成为使得所述修改后的辐射束在远场平面中具有强度分布,所述强度分布包括强度最大值,其中所述强度分布随着径向距离增加而从所述强度最大值减小。
7.一种辐射系统,包括:
辐射源,配置成发射EUV辐射;和
根据权利要求1至6中任一项所述的辐射更改装置,配置成接收包括由所述辐射源发射的所述EUV辐射的至少一部分的辐射束。
8.一种光刻系统,包括:
根据权利要求7所述的辐射系统;和
光刻设备,布置成接收射出辐射更改装置的EUV辐射束的至少一部分。
9.根据权利要求8所述的光刻系统,其中所述光刻设备包括照射系统,所述照射系统配置成调节射出所述辐射更改装置的所述EUV辐射束的至少一部分,所述照射系统包括琢面反射镜,且其中所述辐射系统包括至少一个聚焦光学装置,所述至少一个聚焦光学装置配置成聚焦提供至所述光刻设备的所述EUV辐射束,以便将从所述辐射更改装置输出的所述辐射束的图像形成至所述琢面反射镜上,且其中所述琢面反射镜包括多个反射琢面。
10.一种辐射更改装置,适合用于由权利要求7所限定的辐射系统或由权利要求8或9所限定的光刻系统中。
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