[发明专利]具有纳米结构嵌段共聚物的多层电介质膜

权利要求书

1.一种电介质膜，包含：

具有至少两种不同嵌段的嵌段共聚物，

其中所述至少两种不同嵌段中的每一种自组装形成所述电介质膜内的交替层。

2.根据权利要求1所述的电介质膜，其中所述两种不同嵌段各自选自不同聚合物，包括(但不限于)聚丙烯、聚偏二氟乙烯、聚醚醚酮和聚苯硫醚。

3.根据权利要求1所述的电介质膜，另外包含选自纳米填料、微米填料及其混合物的填料，其中所述填料选自由以下组成的群组：碳纳米管、石墨烯、二氧化硅、氧化铝、钛酸盐及其混合物。

4.根据权利要求1所述的电介质膜，其中一种嵌段展现高电介质击穿强度并且另一种嵌段展现高温电气强度。

5.根据权利要求1所述的电介质膜，其中至少两种不同嵌段中的一种展现高电介质击穿强度并且另一种嵌段展现高电容率。

6.根据权利要求1所述的电介质膜，其中至少两种不同嵌段中的一种展现高电介质击穿强度，另一种嵌段展现高温电气强度并且另一种嵌段展现高电容率。

7.根据权利要求1所述的电介质膜，其中所述嵌段各自基于聚合物电容率的频率依赖性而选择，以使得由所述电介质膜形成的电容器的特性能够经调节以用于特定特征频率。

8.根据权利要求1所述的电介质膜，其中一种嵌段所形成的层与由另一种嵌段所形成的层相比玻璃化转变较低，并且电容率通过升高至玻璃化转变温度而可逆地降低并且通过冷却至玻璃态而可逆地增加。

9.根据权利要求1所述的电介质膜，其中一种嵌段包括极性基团并且另一种嵌段是中性的，其提供所述电介质膜中每一层的屏蔽。

10.一种制备薄膜电容器的方法，包含：

获得具有至少两种不同嵌段的嵌段共聚物；

使所述至少两种不同嵌段自组装形成薄膜电介质中的交替层；以及

卷绕所述薄膜电介质和金属层形成呈卷绕式配置的电容器。

11.根据权利要求10所述的方法，其中获得嵌段共聚物包含：

选择嵌段共聚物前体；

选择填料；

组合所述嵌段共聚物前体和所述填料；以及

聚合所述嵌段共聚物前体和填料。

12.根据权利要求11所述的方法，其中所述选择嵌段共聚物前体是基于其特性并且包括选择一种展现高电介质击穿强度的嵌段共聚物前体和选择另一种展现高温电气强度和高电容率之一的嵌段共聚物前体。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述组合步骤包含组合所述填料与一种嵌段形成填料/嵌段材料并且使所述填料/嵌段材料与另一种嵌段混合。

14.根据权利要求11所述的方法，另外包含选择和组合所述嵌段共聚物的特定嵌段以调节或控制由所述电介质材料形成的电容器的特性。

15.根据权利要求11所述的方法，另外包含规定所述嵌段中每一种的量以便在所述电介质材料和所得电容器中获得所需特性。