[发明专利]光刻用下层膜形成用材料、光刻用下层膜形成用组合物、光刻用下层膜、抗蚀图案形成方法、及电路图案形成方法

权利要求书

1.一种光刻用下层膜形成用材料，其包含将改性萘甲醛树脂氰酸酯化而得到的氰酸酯化合物。

2.根据权利要求1所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述氰酸酯化合物为下述式(1)所示的化合物，

式(1)中，Ar₁各自独立地表示芳香环结构；R₁各自独立地表示亚甲基、亚甲基氧基、亚甲基氧基亚甲基、或氧亚甲基、或它们连结而成的结构；R₂各自独立地表示作为一价取代基的氢原子、烷基或芳基；R₃各自独立地表示碳数为1～3的烷基、芳基、羟基、或羟基亚甲基；m表示1以上的整数；n表示0以上的整数；各重复单元的排列是任意的，k表示氰酸酯基的键合个数即1～3的整数，x表示R₂的键合个数即“将Ar₁能键合的个数减去(k+2)后得到”的整数，y表示0～4的整数。

3.根据权利要求1或2所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述改性萘甲醛树脂是使用羟基取代芳香族化合物使萘甲醛树脂、或脱缩醛键萘甲醛树脂改性而得到的树脂。

4.根据权利要求3所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述羟基取代芳香族化合物为选自由苯酚、2,6-二甲苯酚、萘酚、二羟基萘、联苯酚、羟基蒽、及二羟基蒽组成的组中的1种或2种以上。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述氰酸酯化合物的重均分子量为200以上且25000以下。

6.根据权利要求2～5中任一项所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(1)所示的化合物为下述式(1-1)所示的化合物，

式(1-1)中，R₁～R₃、k、m、n及y与所述式(1)中说明的含义相同，x表示(6-k)的整数。

7.根据权利要求6所述的光刻用下层膜形成用材料，其中，所述式(1-1)所示的化合物为下述式(1-2)所示的化合物，

式(1-2)中，R₁、m、n与所述式(1)中说明的含义相同。

8.一种光刻用下层膜形成用组合物，其含有权利要求1～7中任一项所述的光刻用下层膜形成用材料和溶剂。

9.根据权利要求8所述的光刻用下层膜形成用组合物，其中，还含有产酸剂。

10.根据权利要求8或9所述的光刻用下层膜形成用组合物，其中，还含有交联剂。

11.一种光刻用下层膜，其是使用权利要求8～10中任一项所述的光刻用下层膜形成用组合物而形成的。

12.一种抗蚀图案形成方法，其具有如下工序：

使用权利要求8～10中任一项所述的下层膜形成用组合物，在基板上形成下层膜的工序；

在所述下层膜上形成至少1层光致抗蚀层的工序；以及

对所述光致抗蚀层的规定区域照射辐射线，进行显影的工序。

13.一种电路图案形成方法，其具有如下工序：

使用权利要求8～10中任一项所述的下层膜形成用组合物，在基板上形成下层膜的工序；

使用含有硅原子的抗蚀剂中间层膜材料，在所述下层膜上形成中间层膜的工序；

在所述中间层膜上形成至少1层光致抗蚀层的工序；

对所述光致抗蚀层的规定区域照射辐射线，进行显影而形成抗蚀图案的工序；

将所述抗蚀图案作为掩模，对所述中间层膜进行蚀刻，形成中间层膜图案的工序；

将所述中间层膜图案作为蚀刻掩模，对所述下层膜进行蚀刻，形成下层膜图案的工序；以及

将所述下层膜图案作为蚀刻掩模，对所述基板进行蚀刻，形成基板图案的工序。