[发明专利]荧光体、发光装置及荧光体的制造方法

说明书

本发明为一种由通式：A₂MF₆：Mn表示的荧光体。元素A为碱金属元素，元素M为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的四价金属元素。在波长300nm以上且350nm以下出现的光吸收率的极小值为67％以下。波长400nm以上且500nm以下的最大的光吸收率为65％以上。Mn含量为0.3质量％以上且1.5质量％以下。

技术领域

本发明涉及被蓝色光激发时有效地发红色光的荧光体、使用其的发光装置及荧光体的制造方法。

背景技术

专利文献1中公开了，由A₂[MF₆]：Mn⁴⁺(元素A为Li、Na、K、Rb、Cs、NH₄等，元素M为Ge、Si、Sn、Ti、Zr等)表示的红色发光荧光体及其制造方法。该制造方法为将包含成为荧光体的基质的A₂[MF₆]晶体与成为发光中心的Mn的K₂MnF₆晶体溶解于氢氟酸中，并进行蒸发干固的制造方法。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2009-528429号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，该荧光体的光学特性不充分，对于实用化来说需要进一步提高荧光强度。因此，本发明的目的在于，提供荧光强度高的A₂MF₆：Mn⁴⁺荧光体、使用该荧光体的高亮度的发光装置及荧光体的制造方法。

用于解决问题的方案

本发明为一种荧光体，其由通式：A₂MF₆：Mn(元素A为碱金属元素，元素M为选自Si、Ge、Sn、Ti、Zr和Hf中的一种以上的四价金属元素。)表示，在波长300nm以上且350nm以下出现的光吸收率的极小值为67％以下，波长400nm以上且500nm以下的最大的光吸收率为65％以上，Mn含量为0.3质量％以上且1.5质量％以下。该荧光体的平均粒径优选为10μm以上且35μm以下。

本发明为一种发光装置，其含有前述荧光体和发光光源，前述发光光源的峰波长为420nm以上且480nm以下。

该发光装置优选具有前述荧光体和接受激发光455nm时的峰波长为510nm以上且550nm以下的绿色荧光体作为荧光体。作为该发光装置的绿色荧光体，优选Eu激活β赛隆。

本发明为一种荧光体的制造方法，其制造上述荧光体，该方法具有：将原料溶解于氢氟酸中的溶解工序；使荧光体自溶解工序后的溶液析出的析出工序；以及去除杂质的清洗工序，在溶解工序中得到的氢氟酸水溶液含有元素A、元素M和Mn，析出工序中的析出采用了使溶解工序后的氢氟酸水溶液的水溶液蒸发的手段。

本发明为一种荧光体的制造方法，其制造上述荧光体，该方法具有：将原料溶解于氢氟酸中的溶解工序；使荧光体自溶解工序后的溶液析出的析出工序；以及去除杂质的清洗工序，在溶解工序中得到的氢氟酸水溶液含有元素A、元素M和Mn，析出工序中的析出采用了将不良溶剂投入到氢氟酸水溶液中的手段。前述不良溶剂优选为水。

本发明为一种荧光体的制造方法，其制造上述荧光体，该方法具有：将原料溶解于氢氟酸中的溶解工序；使荧光体自溶解工序后的溶液析出的析出工序；以及去除杂质的清洗工序，在溶解工序中制备含有元素A、元素M和Mn的两种以上的氢氟酸水溶液，析出工序中的析出采用了混合前述两种以上的氢氟酸水溶液并进行反应的手段。

发明的效果