[发明专利]锂镍锰复合氧化物及其制造方法、以及使用其的正极及蓄电装置

权利要求书

1.一种5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其是通过由至少包含前驱体的原料的合成来制造5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的方法，所述前驱体是镍相对于锰的摩尔比即Ra＝Ni/Mn为0.10≤Ra≤0.29的尖晶石结构锂镍锰复合氧化物。

2.如权利要求1所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，所述原料是还包含锂化合物和镍化合物的混合物。

3.如权利要求1或2所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，所述合成包括将所述原料进行烧成的工序。

4.如权利要求3所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，以600～750℃的范围的温度进行所述烧成。

5.如权利要求3或4所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，在包含氧的气氛中进行所述烧成。

6.如权利要求2～5中任一项所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，在所述原料中，锂化合物相对于镍化合物的混合比以锂相对于镍的摩尔比即Li/Ni计为0.3～0.7。

7.如权利要求2～6中任一项所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，所述锂化合物及镍化合物的熔融温度或分解温度分别小于750℃。

8.如权利要求2～7中任一项所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，所述锂化合物为选自乙酸锂、硝酸锂、氢氧化锂中的至少一种。

9.如权利要求2～8中任一项所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其中，所述镍化合物为选自乙酸镍、硝酸镍、硫酸镍中的至少一种。

10.一种5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物，其平均一次粒径为0.7μm以上，饱和磁化为85emu/g以上。

11.一种5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物，其平均一次粒径为0.7μm以上，居里温度为110K以上。

12.一种正极，其包含权利要求10或11所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物。

13.一种蓄电装置，其具备包含权利要求10或11所述的5V级尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的正极、负极及电解质。

14.如权利要求13所述的蓄电装置，其中，所述负极包含钛酸锂。

15.一种尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的制造方法，其是通过由如下原料的合成来制造尖晶石结构锂镍锰复合氧化物的方法，所述原料以混合物的形式包含与作为目标的制造物相比镍含量相对少的前驱体、锂化合物、及镍化合物，所述前驱体中，镍相对于锰的摩尔比即Ra＝Ni/Mn为0.10≤Ra≤0.29，所述合成包括将所述原料进行烧成的工序。