[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

权利要求书

1.一种基板处理装置，用于处理基板，其中，

所述基板处理装置包括：

基板保持部，将基板保持为水平状态，以及，

处理液供给部，向所述基板的上表面上供给第一处理液、与所述第一处理液相比比重小且沸点高的第二处理液，从而在所述基板的所述上表面上形成所述第一处理液的液膜即第一液膜、用于覆盖所述第一液膜的上表面的所述第二处理液的液膜即第二液膜，其中，所述第一处理液的溶解度参数即SP值和所述第二处理液的溶解度参数即SP值之差为5以上；

通过以所述第一处理液的沸点以上且比所述第二处理液的沸点低的温度加热所述第一液膜，利用在所述第二液膜和所述基板之间气化的所述第一处理液，使所述基板的所述上表面上的异物从所述基板的所述上表面剥离，来向所述第二液膜内移动。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

还具备基板旋转机构，所述基板旋转机构通过使所述基板和所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心旋转，从所述基板的所述上表面上去除所述第二液膜。

3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

与所述第一处理液的气化并行地，从所述处理液供给部向所述第二液膜持续地供给所述第二处理液。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，

与所述第一处理液的气化并行地，从所述处理液供给部向所述第一液膜持续地供给所述第一处理液。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

与所述第一处理液的气化并行地，从所述处理液供给部向所述第一液膜持续地供给所述第一处理液。

6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

还具备加热部，所述加热部通过从下表面侧加热所述基板，来进行所述第一液膜的所述加热。

7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，

利用从所述处理液供给部以比所述第一处理液的沸点高且比所述第二处理液的沸点低的温度供给到所述基板上的所述第二处理液，进行所述第一液膜的所述加热。

8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，

利用从所述处理液供给部以比所述第一处理液的沸点高且比所述第二处理液的沸点低的温度供给到所述基板上的所述第二处理液，进行所述第一液膜的所述加热。

9.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述处理液供给部具备：

第一喷嘴，向所述基板的所述上表面喷出所述第一处理液，以及，

第二喷嘴，向所述基板的所述上表面喷出所述第二处理液；

在形成有所述第二液膜的状态下，所述第一喷嘴的顶端位于所述基板的所述上表面和所述第二液膜的上表面之间。

10.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第一液膜覆盖所述基板的整个所述上表面，

所述第二液膜覆盖所述第一液膜的整个所述上表面。

11.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第一处理液是氢氟醚，所述第二处理液是纯水。

12.根据权利要求1至8中任一项所述的基板处理装置，其中，

所述第一处理液是氢氟醚，所述第二处理液是异丙醇。