[发明专利]MEMS传感器，尤其是压力传感器

权利要求书

1.一种用于被测变量的计量记录的MEMS传感器，包括：

-彼此上下布置的多个层(1、3、5)，尤其是硅层，

-其中，所述层(1、3、5)包括至少一个内层(5)，所述至少一个内层(5)布置在第一层(1)与第二层(3)之间，并且

-在所述内层(5)中，设置有垂直于所述内层(5)的平面延伸通过所述内层(5)的至少一个环形空腔(7)，所述内层(5)的与所述第一层(1)和所述第二层(3)连接的区域与所述空腔(7)从外部接界并且形成连接元件(9)，并且环形地围绕所述空腔(7)，其中，所述内层(5)的所述区域中的所述连接元件(9)通过所述空腔(7)与由所述空腔(7)围绕的附加区域完全隔离，

其特征在于

与所述空腔(7)从外部接界的所述连接元件(9)的侧表面(11)

-在面向所述第一层(1)的端部区域中具有在所述第一层(1)的方向上减小所述空腔(7)的横截面面积的倒圆部，以及

-在面向所述第二层(3)的端部区域中具有在所述第二层(3)的方向上减小所述空腔(7)的横截面面积的倒圆部。

2.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于

-至少一个内层(5)具有被所述空腔(7)围绕的至少一个附加区域，所述至少一个附加区域与所述第一层(1)或者所述第二层(3)连接，并且与垂直于所述内层(5)延伸通过所述内层(5)的空腔(7)接界，以及

-所述附加区域具有至少部分地从内部与所述空腔(7)接界的侧表面(11')，在所述侧表面(11')中，面向与所述附加区域连接的所述层(1、3)的所述端部区域具有在与所述附加区域连接的所述层(1、3)的方向上减小所述空腔(7)的横截面面积的倒圆部。

3.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于

彼此邻接的层(1、3、5)彼此直接连接或者经由设置在两个邻接的层(1、3、5)之间的连接层(19、23)连接，尤其是经由绝缘层连接，所述绝缘层尤其是由二氧化硅制成的。

4.根据权利要求3所述的MEMS传感器，其特征在于

-与彼此邻接的所述层(1、3、5)的层厚度相比较，所述连接层(19、23)具有较小的层厚度，尤其是一微米或者几微米数量级的层厚度，尤其是1μm至5μm的层厚度，尤其是2μm至4μm的层厚度，

-其中，彼此邻接的所述层(1、3、5)尤其具有大于或者等于几十μm的层厚度。

5.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于

所述连接元件(9)在所有侧面上从外部围绕所述空腔(7)。

6.根据权利要求1所述的MEMS传感器，其特征在于

所述内层(5)包括至少一个附加区域，尤其是用作电极(17)的附加区域，尤其是由隔离沟围绕的附加区域，所述隔离沟尤其是由所述空腔(7)形成的。

7.根据权利要求1至6所述的MEMS传感器，其特征在于

-所述MEMS传感器是压力传感器，尤其是绝对压力传感器、相对压力传感器或者压力差传感器，

-所述第一层(1)包括测量膜(13)，并且

-所述第一层(1)与平台(15)连接以封闭压力腔，并且所述平台(15)包括所述内层(5)和所述第二层(3)。

8.根据权利要求7所述的MEMS传感器，其特征在于

-所述内层(5)经由第一连接层(19)与所述第一层(1)连接，并且

-所述第一连接层(19)具有暴露所述测量膜(13)并且形成压力腔的空腔(21)。

9.根据权利要求7或者8所述的MEMS传感器，其特征在于

-所述内层(5)包括用作电极(17)的至少一个附加区域，尤其是由隔离沟围绕的附加区域，所述隔离沟尤其是由所述空腔(7)形成的，

-所述内层(5)经由实施为绝缘层的第二连接层(23)与所述第二层(3)连接，

-所述电极(17)经由所述第二连接层(23)与所述第二层(3)连接，并且

-所述电极(17)与用作其反电极的所述第一层(1)隔开。

10.根据权利要求7所述的MEMS传感器，其特征在于

所述平台(15)具有延伸通过所述平台(15)的通道(25)，所述通道(25)与所述压力腔连通。