[发明专利]产生薄无机膜的方法

权利要求书

1.一种方法，包括使通式(I)化合物变为气态或气溶胶状态和将所述通式(I)化合物由所述气态或气溶胶状态沉积至固体基材上

其中

R¹、R²、R³、R⁴彼此独立地为氢、烷基、芳基或SiA₃基团，其中A为烷基或芳基，且R¹、R²、R³、R⁴中的至少两个为SiA₃基团，

n为1至4的整数，

M为金属或半金属，

X为与M配位的配体，和

m为0至4的整数。

2.根据权利要求1的方法，其中所述通式(I)化合物化学吸着在所述固体基材的表面上。

3.根据权利要求1或2的方法，其中通过移除所有配体L和X分解沉积的通式(I)化合物。

4.根据权利要求3的方法，其中所述分解通过暴露于水、氧等离子体、氧自由基、臭氧、一氧化二氮、氧化氮或二氧化氮进行。

5.根据权利要求3的方法，其中所述分解通过氢气、氢自由基、氢等离子体、氨、氨自由基、氨等离子体、硅烷、肼、N,N-二甲基肼、二硅烷、三硅烷、环五硅烷、环六硅烷、二甲基硅烷、二乙基硅烷、苯基硅烷或三甲硅烷基胺进行。

6.根据权利要求3-5中任一项的方法，其中将所述通式(I)化合物沉积至固体基材上和分解沉积的通式(I)化合物的工序至少进行两次。

7.根据权利要求1-6中任一项的方法，其中M为Sr、Ba、Ni或Co。

8.一种通式(I)化合物，其中

R¹、R²、R³、R⁴彼此独立地为氢、烷基、芳基或SiA₃基团，其中A为烷基或芳基，且R¹、R²、R³、R⁴中的至少两个为SiA₃基团，

n为1至4的整数，

M为金属或半金属，

X为与M配位的配体，和

m为0至4的整数。

9.根据权利要求8的化合物，其中R¹和R⁴为SiA₃基团，其中A为烷基或芳基，且R²和R³为氢。

10.根据权利要求8或9的化合物，其中n为2。

11.根据权利要求8-10中任一项的化合物，其中M为Ba、Sr、Ni或Co。

12.一种通式(II)化合物，

其中A为烷基或芳基，R²和R³彼此独立地为氢、烷基、芳基或SiA₃基团，

其中A为烷基或芳基。

13.通式(I)化合物在固体基材上的膜形成方法中的用途，其中

R¹、R²、R³、R⁴彼此独立地为氢、烷基、芳基或SiA₃基团，其中A为烷基或芳基，且R¹、R²、R³、R⁴中的至少两个为SiA₃基团，

n为1至4的整数，

M为金属或半金属，

X为与M配位的配体，和

m为0至4的整数。