[发明专利]磁光学材料及其制造方法以及磁光学器件有效

专利信息
申请号: 201680014848.7 申请日: 2016-03-10
公开(公告)号: CN107406333B 公开(公告)日: 2021-02-23
发明(设计)人: 松本卓士;碇真宪 申请(专利权)人: 信越化学工业株式会社
主分类号: C04B35/50 分类号: C04B35/50;C30B29/22;G02B1/02;G02B27/28
代理公司: 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 代理人: 杜丽利
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 光学材料 及其 制造 方法 以及 光学 器件
【权利要求书】:

1.磁光学材料,其特征在于,由包含下述式(1)所示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷或下述式(1)所示的复合氧化物的单晶构成,

Tb2xR2(2-x)O8-x (1)

式中,为0.800<x<1.00,R为选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素,不过,对于硅、锗和钽,不包括为所述元素单独的情形。

2.权利要求1所述的磁光学材料,其中,在光程为10mm、光束直径为1.6mm下使波长1064nm的激光入射的情况下,满足不产生热透镜的激光入射功率的最大值为30W以上,所述满足不产生热透镜的激光入射功率的最大值为:在光程为10mm、光束直径为1.6mm下使波长1064nm的激光入射的情况下,与未配置该磁光学材料的状态相比束腰位置的变化量成为0.1m以下时的最大入射激光功率。

3.权利要求1所述的磁光学材料,其中,在光程为10mm、光束直径为1~3mm下使波长1064nm的激光入射的情况下,光的直线透射率为90%以上。

4.权利要求1~3的任一项所述的磁光学材料,其中,具有烧绿石晶格的立方晶成为了主相。

5.权利要求1~3的任一项所述的磁光学材料,其中,该磁光学材料的由粉末X射线衍射结果所算出的烧绿石化率在上述式(1)中的R单独为锆的情形下为51.5%以上,R为除其以外的情形下为97.3%以上。

6.磁光学材料的制造方法,其中,将氧化铽粉末和选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1个的氧化物粉末在坩埚内烧成,其中,对于硅、锗和钽,不包括所述元素氧化物单独的情形,制作以立方晶烧绿石型氧化物作为主成分的烧成原料,将该烧成原料粉碎而制成原料粉末,使用该原料粉末成型为规定形状后,烧结,进而进行热等静压处理,得到含有由下述式(1)表示的复合氧化物作为主成分的透明陶瓷的烧结体,

Tb2xR2(2-x)O8-x (1)

式中,为0.800<x<1.00,R为选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1种元素,其中,对于硅、锗和钽,不包括为所述元素单独的情形。

7.权利要求6所述的磁光学材料的制造方法,其中,称量上述氧化铽粉末和选自上述硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1个的氧化物粉末以致其铽原子与上述选自硅、锗、钛、钽、锡、铪、锆中的至少1者的原子的摩尔比率成为x:(2-x),其中,x比0.800大且比1.00小,混合后在坩埚内烧成。

8.磁光学器件,其特征在于,使用权利要求1~5的任一项所述的磁光学材料构成。

9.权利要求8所述的磁光学器件,其为能在波长范围0.9μm以上且1.1μm以下利用的光隔离器,该光隔离器具有上述磁光学材料作为法拉第转子,在该法拉第转子的光学轴上的前后具有偏振材料。

10.权利要求9所述的磁光学器件,其特征在于,所述法拉第转子在其光学面具有减反射膜。

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