[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、化合物、有机半导体组合物和有机半导体膜及其制造方法

说明书

本发明的目的在于：提供载流子迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体元件及其制造方法；提供适合作为有机半导体的新颖化合物；以及提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法、以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。本发明的有机半导体元件的特征在于，其具有含有下述化合物的有机半导体层，该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上。

【技术领域】

本发明涉及有机半导体元件及其制造方法、化合物、有机半导体组合物和有机半导体膜及其制造方法。

【背景技术】

由于能够轻量化、低成本化、柔软化，在液晶显示屏或有机电致发光(EL)显示屏中使用的FET(场效应晶体管)、RFID(射频识别、RF识别)等中利用具有有机半导体膜(有机半导体层)的有机晶体管。

作为现有的有机半导体，已知有专利文献1或2所记载的有机半导体。

【现有技术文献】

【专利文献】

专利文献1：日本特表2010-527327号公报

专利文献2：日本特开2008-153667号公报

【发明内容】

【发明所要解决的课题】

本发明所要解决的课题在于提供一种有机半导体元件及其制造方法，其载流子迁移率(以下也简单称为“迁移率”，载流子迁移率高也称为“高迁移率”)高、迁移率的波动(バラツキ)受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异。

另外，本发明所要解决的其他课题在于提供适合作为有机半导体的新颖化合物。

进一步地，本发明所要解决的其他课题在于提供迁移率高、迁移率的波动受到抑制、高温高湿下的经时稳定性优异的有机半导体膜及其制造方法；以及能够适当地形成上述有机半导体膜的有机半导体组合物。

【解决课题的手段】

本发明的上述课题通过下述<1>、<9>、<13>、<15>或<17>～<20>中记载的手段得以解决。下面同时记载了作为优选实施方式的<2>～<8>、<10>～<12>、<14>和<16>。

<1>一种有机半导体元件，其特征在于，其具有含有下述化合物的有机半导体层，该化合物具有式1所表示的重复结构单元、分子量为2,000以上1,000,000以下，

【化1】

式1中，A是电子受体单元，该电子受体单元包含在环结构内具有sp2氮原子、羰基以及硫代羰基中的至少1者的部分结构；D是电子供体单元，该电子供体单元包含在环结构内具有至少1个N原子、O原子、S原子或Se原子的二价芳香族杂环基、或者由2环以上的稠环结构形成的二价芳香族烃基作为部分结构；D和/或A具有至少1个由式1-1所表示的一价基团；

【化2】

*-L-O-R (1-1)

式1-1中，L是直链状或支化状的碳原子数为m的亚烷基，R是不具有取代基的碳原子数为n的烷基，6≦m+n≦50，*表示与其他结构键合的部位；

<2>如<1>中所述的有机半导体元件，其中，上述由式1-1所表示的一价基团是由下式1-2或式1-3所表示的一价基团，

【化3】