[发明专利]层叠体及其制造方法、以及阻气膜及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201680014989.9 申请日: 2016-03-16
公开(公告)号: CN107405872B 公开(公告)日: 2020-07-24
发明(设计)人: 小山浩志;佐藤尽;加纳满 申请(专利权)人: 凸版印刷株式会社
主分类号: B32B9/00 分类号: B32B9/00;C23C14/20;C23C16/40
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 张苏娜;常海涛
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 层叠 及其 制造 方法 以及 阻气膜
【权利要求书】:

1.一种层叠体,其特征在于,具有:

由高分子材料构成的基材;

配置于所述基材的表面的至少一部分上且由含有Ta元素的无机材料构成的底涂层;以及

配置于所述底涂层的表面的至少一部分上的原子层沉积膜,

所述原子层沉积膜为包含Al、Ti、Si、Zn、Sn的无机氧化膜、氮化膜或氮氧化膜。

2.根据权利要求1所述的层叠体,其特征在于,

所述底涂层的厚度为1nm以上1000nm以下。

3.根据权利要求1或2所述的层叠体,其特征在于,

所述原子层沉积膜的厚度在0.5nm以上200nm以下的范围内。

4.一种阻气膜,其特征在于,包括根据权利要求1至3中任一项所述的层叠体,其中,

构成所述层叠体的所述基材为膜状基材。

5.根据权利要求4所述的阻气膜,其特征在于,

所述层叠体的水蒸气透过率为0.1g/(m2·day)以下。

6.一种层叠体的制造方法,其特征在于,包括:

底涂层形成步骤,其中,使用含有Ta元素的无机材料,在配置在真空室内的由高分子材料构成的基材的表面的至少一部分上形成底涂层;以及

原子层沉积膜形成步骤,其中,将成为成膜原料的前驱体供给到所述底涂层的表面,从而在所述底涂层的表面的至少一部分上形成原子层沉积膜,

所述原子层沉积膜为包含Al、Ti、Si、Zn、Sn的无机氧化膜、氮化膜或氮氧化膜。

7.一种阻气膜的制造方法,其特征在于,包括根据权利要求6所述的层叠体的制造方法,其中,

使用膜状基材作为所述基材。

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