[发明专利]光电器件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电器件，其包含：

具有第一表面和第二表面的第一浮法玻璃基材；

位于该第二表面上的底层；

位于该底层上的第一导电层，其中该第一导电层包含含有氧化锡和钨的第一层；

位于该第一导电层上的覆盖层；

位于该覆盖层上的半导体层；和

位于该半导体层上的第二导电层，

其中该覆盖层包含缓冲层，该缓冲层包含氧化锡和以下的至少一种：锌、铟、镓和镁。

2.根据权利要求1所述的光电器件，其中该缓冲层包含氧化锡和锌。

3.根据权利要求1所述的光电器件，其中该缓冲层包含氧化锡和镁。

4.根据权利要求1所述的光电器件，其包括处于浮法玻璃基材的第一表面上的功能层，其中该功能层选自防反射层和外部光提取层。

5.根据权利要求1所述的光电器件，其中该第一导电层进一步包含在该第一层上的含有氧化锡和氟的第二层。

6.根据权利要求1所述的光电器件，其中该底层包含含有氧化硅的钠离子阻挡层。

7.根据权利要求1所述的光电器件，其中该底层包含底部光学层，该底部光学层包含以下的氧化物：锡、锌、硅、铝、钛和/或其混合物。

8.根据权利要求1所述的光电器件，其中该第一导电层包含小于2wt％的钨。

9.根据权利要求1所述的光电器件，其中该第一层包含小于1wt％的钨。

10.根据权利要求1所述的光电器件，其中该覆盖层包含含有氧化锡和锌和/或镁的缓冲层，和包含含有硫化镉和/或硫酸镉的绝缘层。

11.根据权利要求1所述的光电器件，其包括在浮法玻璃基材的第二表面之中和/或之上的内部光提取区，其中该内部光提取区包含纳米粒子。

12.根据权利要求1所述的光电器件，其中该第一导电层包含由第一前体材料沉积的第一区和由第二前体材料沉积的第二区。

13.根据权利要求1所述的光电器件，其中氧化锡和钨通过化学气相沉积方法施加到热玻璃带上。

14.根据权利要求1所述的光电器件，其中该第一导电层具有10Ω/□至20Ω/□范围内的薄层电阻。

15.根据权利要求12所述的光电器件，其中该第一前体材料是单丁基三氯化锡，和该第二前体材料是四氯化锡。

16.根据权利要求1所述的光电器件，进一步包含引入该浮法玻璃基材中的纳米粒子。

17.根据权利要求1所述的光电器件，其中该第一导电层的厚度在200至500nm的范围内。

18.根据权利要求1所述的光电器件，其中该半导体层包含碲化镉。