[发明专利]用于位置感测的传感器装置和方法有效
申请号: | 201680015147.5 | 申请日: | 2016-03-09 |
公开(公告)号: | CN107429982B | 公开(公告)日: | 2019-11-12 |
发明(设计)人: | W·哈伯勒;A·潘塔兹;A·塞巴斯蒂安;T·图玛 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | G01B7/14 | 分类号: | G01B7/14;G01R33/09;G01V3/08;G01D5/16 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 鲍进 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 位置 传感器 布置 | ||
1.一种用于位置感测的传感器装置,包括:
第一磁阻元件(1)和第二磁阻元件(2),所述磁阻元件(1、2)中的每一个包括层的堆叠(11),所述堆叠(11)包括介于两个磁性层(111、113)之间的至少一个导电层(112),所述磁性层具有沿着纵轴(X)的纵向延伸(L)和沿着横轴(Y)的横向延伸,
磁场源(3),其提供具有第一磁极(N)和第二磁极(S)的磁场,所述磁场源具有由沿着垂直轴(Z)延伸的所述第一和第二磁极(N、S)限定的偶极轴(DA),所述垂直轴(Z)与由所述纵轴(X)和所述横轴(Y)限定的平面正交,以及
测量单元,
其中,所述磁场源(3)布置在所述第一磁阻元件(1)和所述第二磁阻元件(2)之间,并使所述第一磁极(N)面向所述第一磁阻元件(1)并且使所述第二磁极(S)面向所述第二磁阻元件(2),所述磁场源(3)能沿着所述垂直轴(Z)相对于所述第一磁阻元件(1)和第二磁阻元件(1)移动,所述磁场源(3)沿着所述垂直轴(Z)的位置(z)将由所述传感器装置来感测,
其中,所述第一磁阻元件(1)布置在所述磁场中并且根据所述第一磁阻元件(1)相对于所述磁场源(3)的位置来提供第一输出信号(R1),
其中,所述第二磁阻元件(2)布置在所述磁场中并且根据所述第二磁阻元件(2)相对于所述磁场源(3)的位置来提供第二输出信号(R2),
其中,所述测量单元被配置成通过计算所述第一输出信号(R1)和所述第二输出信号(R2)之差来确定所述磁场源(3)沿着所述垂直轴(Z)的位置(z)相对于所述第一磁阻元件(1)和所述第二磁阻元件(2)的位置。
2.根据权利要求1所述的传感器装置,
其中,所述磁场源(3)能沿着所述纵轴(X)相对于所述第一磁阻元件(1)和第二磁阻元件(2)移动,所述磁场源(3)沿着所述纵轴(X)的位置(x)将由所述传感器装置来感测,并且
其中,所述测量单元被配置成通过将所述第一输出信号(R1)和所述第二输出信号(R2)相加来确定沿着所述纵轴(X)的位置(x)。
3.根据权利要求1所述的传感器装置,包括:
多个第一磁阻元件(1),其沿着所述纵轴(X)成行地布置在所述磁场中并且面向所述第一磁极(N),和
多个第二磁阻元件(2),其沿着所述纵轴(X)成行地布置在磁场中并且面向所述第二磁极(S)。
4.根据权利要求3所述的传感器装置,
其中,所述磁场源(3)的尺寸相对于所述多个第一磁阻元件(1)被确定,使得所述磁场一次只影响所述多个第一磁阻元件(1)中的单个(1a),而不影响相邻的第一磁阻元件(1b、1c),以及
其中所述磁场源(3)是永磁体,其宽度(W)小于所述第一磁阻元件(1)的纵向延伸(L)。
5.根据权利要求4所述的传感器装置,
其中,所述测量单元被配置成识别所述多个第一磁阻元件(1)中的单个第一磁阻元件(1a),所述单个第一磁阻元件(1a)显示其第一输出信号(R1)中的改变,所述改变是由于磁场源(3)经过所述单个第一磁阻元件(1a)而导致的,以及
其中,所述测量单元被配置成由单个第一磁阻元件(1a)在所述多个第一磁阻元件(1)的一行内的已知位置来得出沿着所述纵轴(X)的位置(x)。
6.根据权利要求3所述的传感器装置,
其中,所述磁场源(3)的尺寸相对于所述多个第一磁阻元件(1)被确定,使得所述磁场不仅影响所述多个第一磁阻元件(1)中的单个(1a),而且影响相邻的第一磁阻元件(1b、1c),以及
尤其是其中所述磁场源(3)是永磁体,其沿着所述纵轴(X)的宽度(W)超过所述第一磁阻元件(1)的纵向延伸(L)。
7.根据权利要求6所述的传感器装置,
其中,所述多个第一磁阻元件(1)的所述磁性层(111、113)二者的磁化取向被解除固定,
其中,所述测量单元被配置成将相邻的第一磁阻元件(1)的第一输出信号(R1)彼此相减,并且
其中,所述测量单元被配置成根据所得的差信号来确定沿着所述纵轴(X)的位置(x)。
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