[发明专利]等离子体处理设备有效
申请号: | 201680015153.0 | 申请日: | 2016-03-16 |
公开(公告)号: | CN107408487B | 公开(公告)日: | 2019-06-25 |
发明(设计)人: | 亚历山大·利坎斯奇;史费特那·B·瑞都凡诺;威廉·戴维斯·李 | 申请(专利权)人: | 瓦里安半导体设备公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 倾角 离子束 多孔 提取 系统 | ||
1.一种等离子体处理设备,包括:
顶表面;
等离子体处理室,包括多个侧壁,所述等离子体处理室以提取电压被偏压,所述提取电压为所述等离子体处理室相对于衬底的电压;
射频线圈,用以激发处理气体以在所述等离子体处理室中形成等离子体;以及
底表面,其包括多个板,所述多个板中的每一个枢转地附接到所述底表面并且以提取板电压被偏压,其中通过由所述多个板限定的孔口提取离子细束,当要从所述等离子体处理室提取正离子时,所述提取板电压等于所述提取电压或者所述提取板电压比所述提取电压少偏正。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述多个板中的所述每一个包括笔直部分。
3.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述多个板中的所述每一个包括L形元件,其包括第一笔直部分和第二笔直部分,所述第二笔直部分从所述第一笔直部分的一端延伸。
4.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述多个板中的所述每一个包括S形元件,其包括第一笔直部分、第二笔直部分和第三笔直部分,所述第二笔直部分从所述第一笔直部分的一端延伸,所述第三笔直部分在与所述第二笔直部分的方向相反的方向上从所述第一笔直部分的相反端延伸。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述多个板中的所述每一个包括第一笔直部分、第二笔直部分和三角形部分,所述第二笔直部分和三角形部分安置在所述第一笔直部分的相反的方向上的两端。
6.根据权利要求1所述的等离子体处理设备,其中所述底表面包括:
多个电极,其以不同于所述提取板电压的第二电压被偏压。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理设备,其中所述多个电极包括多个杆,其中所述多个板安置于所述多个杆和所述等离子体处理室之间。
8.根据权利要求7所述的等离子体处理设备,其中所述多个杆随着所述多个板的旋转而移动。
9.一种等离子体处理设备,包括:
顶表面;
等离子体处理室,包括多个侧壁;
射频线圈,用以激发处理气体以在所述等离子体处理室中形成等离子体;以及
底表面,包括:
多个板,所述多个板中的每一个枢转地附接到所述底表面并且以提取板电压被偏压,其中通过由所述多个板限定的孔口提取离子细束,所述提取板电压参照接地、提取电压或衬底,所述提取电压为所述等离子体处理室相对于所述衬底的电压;以及
多个电极,其以不同于所述提取板电压的第二电压被偏压,
其中所述多个板中的所述每一个包括L形元件,其包括第一笔直部分和第二笔直部分,所述第二笔直部分从所述第一笔直部分的一端延伸,并且所述多个板中的每一个包括I形元件,所述I形元件包括笔直部分,其中所述I形元件安置成平行于所述L形元件的所述第一笔直部分。
10.根据权利要求9所述的等离子体处理设备,其中介电材料安置于所述I形元件和所述L形元件之间。
11.根据权利要求9所述的等离子体处理设备,其中所述第二笔直部分延伸超出所述I形元件,从而遮蔽所述I形元件免受波束冲击。
12.一种等离子体处理设备,包括:
等离子体处理室,用以形成等离子体,所述等离子体处理室具有底表面,其中所述底表面包括多个板,所述多个板中的每一个枢转地附接到所述底表面,其中通过由所述多个板限定的孔口提取离子细束,并且其中所述多个板中的所述每一个的旋转和电压经过调整以实现期望的提取角。
13.根据权利要求12所述的等离子体处理设备,其中所述多个板分成群组,并且每个所述群组的所述旋转独立地受到控制。
14.根据权利要求12所述的等离子体处理设备,其中所述多个板分成群组,并且施加到每个所述群组的电压独立地受到控制。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瓦里安半导体设备公司,未经瓦里安半导体设备公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680015153.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。