[发明专利]激光加工的背触异质结太阳能电池

权利要求书

1.一种用于形成太阳能电池的叉指型背触点的方法，所述方法包括：

在衬底(200)的后表面上形成异质结结构或隧道结结构(220，230)；

在所述后表面上形成基极触点(252)的激光加工区域(250)，其中，所述基极触点的所述激光加工区域通过激光加工形成；以及

在所述后表面上以叉指型图案沉积金属层(240)，其中，所述叉指型图案提供所述金属层的与发射极区域(255)电连通的第一组指状物以及所述金属层的与所述基极触点电连通的第二组指状物，并且所述基极触点与所述发射极区域隔离。

2.如权利要求1所述的方法，其中，针对所述基极触点的所述激光加工区域的所述激光加工为驱动掺杂剂或金属掺杂剂穿过所述异质结结构或所述隧道结结构进入所述衬底的激光烧结或激光掺杂工艺。

3.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光加工包括将掺杂剂或金属掺杂剂激光转印到所述衬底的基极触点区域上的步骤，并且所述激光加工区域通过以下方式形成：在所述基极触点区域中进行激光掺杂，以便使所述掺杂剂或所述金属掺杂剂驱动进入并且穿过所述异质结结构或所述隧道结结构到达所述衬底。

4.如权利要求1所述的方法，其中，利用驱动所述掺杂剂或所述金属掺杂剂穿过所述异质结结构或所述隧道结结构进入所述衬底的气体浸没激光掺杂工艺来执行所述激光加工，其中，所述掺杂剂或所述金属掺杂剂作为掺杂剂蒸汽或所述掺杂剂蒸汽的副产品被供应。

5.如权利要求1所述的方法，其中，对用于形成所述激光加工区域的所述激光加工的条件进行选择以引起对所述异质结结构或所述隧道结结构的一部分的局部破坏或移除。

6.如权利要求1所述的方法，其中，在形成所述激光加工区域之前移除所述异质结结构或所述隧道结结构的一部分。

7.如权利要求6所述的方法，其中，通过激光烧蚀、通过由于所述激光加工期间的局部加热而导致的层离或通过掩模和化学蚀刻来移除所述异质结结构或所述隧道结结构的被移除的部分。

8.如权利要求6所述的方法，其中，所述异质结结构或所述隧道结结构的被移除的所述部分来自所述衬底的基极触点区域。

9.如权利要求6所述的方法，其中，所述异质结结构或所述隧道结结构的被移除的所述部分延伸穿过所述异质结结构或所述隧道结结构并且进入所述衬底的一部分。

10.如权利要求6所述的方法，其中，所述异质结结构或所述隧道结结构的被移除的所述部分为所述基极触点与所述发射极区域之间的区域并且在所述基极触点与所述发射极区域之间提供隔离间隙(260)。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在沉积所述金属之前，在所述异质结结构或所述隧道结结构上施加隔离层或钝化层(280)，其中，所述隔离层存在于基极触点区域与所述发射极区域之间。

12.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：将绝缘层(290)沉积在采用所述叉指型图案的所述金属层的一部分上并且沉积到所述金属层中在基极触点区域与所述发射极区域之间的间隙中；以及

在所述金属层和所述绝缘层上沉积额外金属(270)，其中，所述额外金属被图案化以便提供所述额外金属的基极触点区域和所述额外金属的发射极触点区域，并且所述基极触点区域的基极触点宽度约等于所述发射极触点区域的发射极触点宽度。

13.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：在形成所述基极触点的所述激光加工区域之前，在所述异质结结构或所述隧道结结构上沉积介电层(295)，其中，所述介电层的至少一部分不存在于所述发射极区域中。

14.如权利要求1所述的方法，其中，所述发射极区域占据所述电池的后面区域的60％或更多。

15.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光加工利用空间成型的激光束或时间整形的激光束。

16.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光加工利用高斯光束之一或高斯光束阵列，其中，所述高斯光束为圆形的，并且其中，所述高斯光束中的每个高斯光束具有30微米或更小的直径。

17.如权利要求1所述的方法，其中，所述激光加工利用窄且线形的激光束，并且所述激光束的宽度为20微米或更小。