[发明专利]加速掺杂硅中缺陷形成、稳定电池性能、制造电池的方法和电池

权利要求书

1.一种用于加速掺杂硅中的缺陷的形成的方法，所述方法包括以下步骤：

将所述掺杂硅的一部分暴露于电磁辐射，以使得能量高于所述硅的带隙的能量的光子提供至少3 suns的辐射强度；

其中，选择所述辐射的一个或更多个参数，以使得在暴露于所述电磁辐射期间，在暴露的部分中维持高于所述暴露的部分的有效掺杂浓度的10%的最小过剩多数载流子浓度；以及

通过在暴露期间改变所述辐射的所述一个或更多个参数来控制所述硅的温度，以使得由能量高于所述硅的所述带隙的能量的光子提供的所述辐射强度被改变。

2. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射使得能量高于所述硅的所述带隙的能量的光子提供至少10 suns的辐射强度。

3. 根据权利要求1或权利要求2所述的方法，其中，在至少3 suns的所述辐射强度下，在所述掺杂硅中维持高于所述掺杂硅的所述有效掺杂浓度的10%的所述最小过剩多数载流子浓度达暴露持续时间的至少90%。

4. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射使得能量高于所述硅的所述带隙的能量的光子提供至少30 suns的辐射强度。

5. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射使得能量高于所述硅的所述带隙的能量的光子提供至少50 suns的辐射强度。

6. 根据权利要求1所述的方法，其中，所述辐射使得能量高于所述硅的所述带隙的能量的光子提供至少70 suns的辐射强度。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述最小过剩多数载流子浓度是所述硅的所述有效掺杂浓度的至少两倍。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，执行将所述硅的所述部分暴露于所述电磁辐射的步骤以及控制所述掺杂硅的所述温度的步骤，以使得在所述掺杂硅的至少一部分中形成电活性缺陷。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，执行将所述硅的所述部分暴露于辐射的步骤以及控制所述硅的所述温度的步骤，以使得所述硅中的电活性缺陷被钝化。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，执行将所述硅的所述部分暴露于辐射的步骤以及控制所述硅的所述温度的步骤，以使得在所述掺杂硅的至少一部分中形成电活性缺陷并且所述一部分中的电活性缺陷被钝化，并且其中，所述电活性缺陷的钝化速率高于所述电活性缺陷的形成速率。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，执行将所述硅的所述部分暴露于辐射的步骤以及控制所述硅的所述温度的步骤，以使得所述暴露的部分在预定时间段内达到稳定条件，并且在所述稳定条件下，所述暴露的部分进一步暴露于辐射能够增加电活性缺陷的浓度不多于另外的10%。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述方法还包括基于以下来选择所述预定时间段的步骤：

所述硅的有效掺杂浓度；

所述硅中的p型掺杂剂的浓度；

所述硅中的n型掺杂剂的浓度；或

所述硅的有效多数载流子寿命。

13.根据权利要求11或权利要求12所述的方法，其中，所述预定时间段短于20秒。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述预定时间段短于5秒。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，所述方法还包括将所述硅冷却至冷却温度的步骤。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，在所述硅暴露于所述辐射的同时冷却所述硅。