[发明专利]芯片装置和用于构成接触连接部的方法

权利要求书

1.一种用于在芯片(18，47)和导体材料带(14，45，46)之间构成接触连接部(11)的方法，所述芯片尤其是功率晶体管等，其中所述导体材料带在不导电的衬底(12，52)上构成，其中所述芯片设置在所述衬底或导体材料带(15)上，

其特征在于，

分别在所述芯片的芯片接触面(25，48，49)和所述导体材料带(14，45，46)上施加银膏(29)或者铜膏，其中接触导体(30，53，54)浸入到所述芯片接触面上的银膏或铜膏中并且浸入到所述导体材料带上的银膏或铜膏中，其中包含在所述银膏或铜膏中的溶剂通过加热至少部分地蒸发，其中所述接触连接部通过如下方式构成：所述银膏或所述铜膏借助于激光能量烧结。

2.根据权利要求1所述的方法，

其特征在于，

使用绞合线作为接触导体(30，53，54)，所述绞合线优选是绞合线带(31，55，56)，尤其优选由铜或者铜合金构成的绞合线或绞合线带。

3.根据权利要求2所述的方法，

其特征在于，

所述绞合线由所述银膏(29)或所述铜膏至少部分地渗透。

4.根据权利要求2或3所述的方法，

其特征在于，

对于每个芯片接触面(25，48，49)仅使用一个绞合线。

5.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其特征在于，

所述银膏(29)或者所述铜膏通过将所述衬底(12，52)设置在加热元件处或者设置在加热元件上来加热。

6.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其特征在于，

在进行加热时借助于夹持机构固持所述衬底(12，52)。

7.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其特征在于，

在完全地蒸发所述溶剂之前还烧结所述银膏(29)或所述铜膏。

8.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其特征在于，

在烧结期间借助于按压装置将所述接触导体(30，53，54)压到所述芯片接触面(25，48，49)和/或所述导体材料带(14，45，46)上。

9.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其特征在于，

在烧结之后将所述接触导体(30，53，54)分离。

10.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其特征在于，

通过将铜带施加到芯片表面上来构成所述芯片接触面(25，26，48，49)。

11.根据上述权利要求中任一项所述的方法，

其特征在于，

将接触金属化部(17，23)施加在所述导体材料带(14，45，46)和/或所述芯片接触面(25，26，48，49)上。

12.根据权利要求11所述的方法，

其特征在于，

借助于物理气相沉积(PVD)、溅射沉积、电镀或者无电电镀构成所述接触金属化部(17，23)。

13.根据权利要求11或12所述的方法，

其特征在于，

所述接触金属化部(17，23)由银、镍、铜、金、钯、铝或者这些金属中的一种的合金构成。

14.一种芯片装置(10，38，44)，其尤其用于功率晶体管等的芯片装置，所述芯片装置包括：芯片(18，47)；不导电的衬底(12，52)，所述衬底具有在其上构成的导体材料带(14，45，46)；和接触导体(30，53，54)，其中所述芯片设置在所述衬底或者导体材料带(15)上，

其特征在于，

将银膏(29)或者铜膏分别施加在所述芯片的芯片接触面(25，48，49)和所述导体材料带(14，45，46)上，其中所述接触导体浸入到所述芯片接触面上的银膏或铜膏中并且浸入到所述导体材料带上的银膏或铜膏中，其中包含在所述银膏或所述铜膏中的溶剂通过加热来蒸发，其中接触连接部(11)通过如下方式构成：所述银膏或所述铜膏借助于激光能量烧结。