[发明专利]使用一个或多个谐振器的方法

权利要求书

1.一种用于以目标谐振波长(λt)来调谐至少一个微型和/或纳米光子谐振器(10)的方法，

所述谐振器具有限定了所述谐振器(10)的谐振波长(λr)的尺寸，

所述谐振器(10)被浸入在包含离子的流体(60)中，使得所述谐振器被所述流体包围，

其中所述方法包括将具有等于所述谐振波长(λr)的光波长的光注入到所述谐振器(10)中，使得被注入的光(λ)在所述谐振器(10)内谐振并触发由包含离子的包围流体(60)所能进行的光电化学蚀刻工艺的步骤，所述蚀刻工艺通过放大了所述光子谐振器(10)中的光强度的光学谐振而被增强，

所述蚀刻减小了所述光子谐振器的尺寸，从而降低和调谐所述光子谐振器(10)的谐振波长(λr)。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述光子谐振器(10)具有由其组成材料所设定的带隙波长(λB)，并且被注入的光的波长(λ)高于谐振器带隙波长(λB)。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中被注入的光是单色的。

4.根据权利要求1或2所述的方法，包括以下步骤：

-开始注入所述光的步骤(E1)，

-调整(E2)被注入的光的光波长(λ)，以便获得所述谐振器(10)的谐振波长(λr)，

-在蚀刻工艺期间降低(E3)所述光波长(λ)，以便跟随所述谐振波长(λr)，直到达到目标谐振(λt)波长，

-在目标谐振波长(λt)处停止光注入。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述调谐过程包括通过连续扫描来降低(E2)所述光子谐振器(10)的谐振波长(λr)，每次扫描由扫描被注入的光的光波长(λ)组成，所述光波长(λ)在包括所述光子谐振器(10)的谐振波长(λr)的值之间。

6.根据权利要求1或2所述的方法，其中注入光的步骤由远场或近场光耦合技术实现，并且其中将光注入到一个或多个谐振器中。

7.根据权利要求1或2所述的方法，其中被注入的光的光波长(λ)被包括在可见光和红外光谱中。

8.根据权利要求6所述的方法，其中通过隐失波来实现所述光子谐振器(10)和被放置在所述谐振器附近的光波导管(20)之间的耦合。

9.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述流体(60)是含有离子的液体。

10.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述流体(60)是环境空气或受控的潮湿大气或含有离子的气体。

11.根据权利要求1或2所述的方法，其中谐振器材料是硅，并且所述流体(60)是氟基液体或气体。

12.根据权利要求1或2所述的方法，其中谐振器材料是镓基的，并且所述流体(60)是水、环境空气或受控的潮湿大气。

13.根据权利要求1或2所述的方法，对于调谐两个光子谐振器(10a、10b)，每个谐振器具有不同谐振波长(λra、λrb)，所述方法包括以下步骤：

-将被注入的光的光波长(λ)设定(E1')为大于任一谐振器(10a、10b)的谐振波长(λra、λrb)，

-降低被注入的光的(E2')光波长，以便获得第一光子谐振器(10b)的第一谐振波长(λrb)并开始所述蚀刻工艺，而具有低于所述第一谐振波长(λrb)的第二谐振波长(λra)的第二光子谐振器(10a)保持不变，

-降低(E31')被注入的光的光波长(λ)，以便跟随所述第一谐振波长(λrb)，所述光波长减小直到正在被蚀刻的所述第一光子谐振器(10b)的第一谐振波长(λrb)与所述第二光子谐振器(10a)的谐振(λra)重叠，由此对所述光子谐振器(10a、10b)进行了调谐。