[发明专利]导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件

说明书

本说明书提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。

技术领域

本申请要求于2015年3月16日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2015-0036112的优先权和权益，该申请的公开内容通过引用全部并入本文中。

本说明书涉及一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。

背景技术

随着新的可再生能源工业以及高科技信息技术工业的快速发展，对具有导电性和透光性的导电结构体的兴趣增加。有机电子器件中作为薄透明基板的导电结构体需要透射光并且具有优异的导电性。

作为导电结构体的材料，具有代表性的是制造为薄膜形式的透明导电氧化物(TCO)。根据表面电阻的大小，使用在可见光区域中具有高光学透过率(85％以上)和低电阻率(1×10^-3Ωm)两者的统称为氧化物类简并半导体电极的透明导电氧化物作为用于如抗静电膜、电磁波屏蔽膜等的功能性薄膜，平板显示器、太阳能电池、触摸屏、透明晶体管、柔性光电器件、透明光电器件等的芯电极材料。

然而，使用透明导电氧化物作为材料制造的导电结构体具有由于低导电性而使器件的效率降低的问题。

发明内容

技术问题

本说明书试图提供一种导电结构体以及包括该导电结构体的电子器件。

技术方案

本说明书的一个示例性实施方案提供一种导电结构体，包括：包含第一金属化合物的第一介电层；面向所述包含第一金属化合物的第一介电层设置的包含第二金属化合物的第二介电层；以及设置在所述第一介电层与所述第二介电层之间的金属层，其中，所述导电结构体满足下面给出的数学式1：

[数学式1]

[数学式2]

[数学式3]

[数学式4]

[数学式5]

[数学式6]

在数学式1中，D_eff表示通过数学式2和数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层的平均折射率的分散度(dispersion)，k_{eff_dielectric}表示通过数学式4得到的所述第一介电层和所述第二介电层的平均消光系数，d表示所述第一介电层、所述第二介电层和所述金属层的总厚度，k_{eff_metal}表示通过数学式5得到的所述第一介电层、所述第二介电层和所述金属层的平均消光系数，

在数学式2中，n_{eff_550}表示通过数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层在波长为550nm的光中的平均折射率，n_{eff_450}表示通过数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层在波长为450nm的光中的平均折射率，n_{eff_380}表示通过数学式3得到的所述第一介电层和所述第二介电层在波长为380nm的光中的平均折射率，